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本書從放大器的基本結(jié)構(gòu)入手，介紹了雙極型和CMOS放大器的特性及分析方法。內(nèi)容包括：放大器基礎(chǔ)、晶體管、偏置、單級放大器、多級放大器、電流源和電路鏡、放大器的低頻和高頻特性分析。本書采用論述理論與工程實際相結(jié)合的分析方法，并注重雙極型與CMOS電路的對比。
本書可作為高等院校信息與通信工程、電子科學與技術(shù)及相關(guān)專業(yè)師生的參考用書，也可以供相關(guān)專業(yè)技術(shù)人員閱讀使用。

第1章 放大器基礎(chǔ)
1.1 概述
1.2 基本概念
1.3 信號及其直流和交流分量
1.3.1 信號及其分量的命名
1.4 放大器的基本類型
1.4.1 電壓放大器
1.4.2 電流放大器
1.4.3 跨導(dǎo)放大器
1.4.4 跨阻放大器
1.5 放大器的級聯(lián)
1.6 小信號與大信號放大器
1.7 基本問題
1.8 仿真實例
習題
第2章 晶體管
2.1 概述
2.2 基本概念
2.3 金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2.3.1 NMOS晶體管
2.3.2 PMOS晶體管
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 NPN晶體管
2.4.2 ：PNP晶體管
2.5 仿真實例
習題
第3章 偏置
3.1 概述
3.2 雙極型晶體管的偏置
3.2.1 工作點
3.2.2 晶體管的偏置
3.2.3 電路圖繪圖慣例
3.2.4 電路分析中的近似
3.2.5 簡單回顧
3.2.6 飽和模式下的雙極型晶體管
3.3 分壓偏置
3.3.1 分壓偏置電路：不同角度的分析
3.4 PNP晶體管的偏置
3.5 MOS晶體管的偏置
3.5.1 工作點
3.6 仿真實例
習題
第4章 單級放大器
4.1 概述
4.2 用作放大的晶體管
4.2.1 晶體管的小信號模型
4.3 小信號放大器的兩步分析法
4.4 放大器輸入（輸出）信號的耦合
4.5 基本單級放大器的結(jié)構(gòu)
4.5.1 共源結(jié)構(gòu)
4.5.2 共柵結(jié)構(gòu)
4.5.3 共漏結(jié)構(gòu)或源極跟隨器
4.6 觀察分析法
4.6.1 晶體管端口的等效電阻
4.6.2 用觀察法對放大器進行交流分析
4.7 放大器的其他基本類型
4.8 雙極型放大器
4.8.1 雙極型晶體管作為放大器
4.8.2 雙極型單級結(jié)構(gòu)
4.8.3 雙極型放大器的其他基本類型
4.9 重要說明
4.10 仿真實例
習題
第5章 多級放大器
5.1 概述
5.2 偏置與耦合
5.3 交流分析
5.4 一些有用的組合結(jié)構(gòu)
5.4.1 達靈頓對
5.4.2 Cascode放大器
5.4.3 差分放大器
5.5 仿真實例
習題
第6章 電流源和電流鏡
6.1 概述
6.2 電流源和電流鏡
6.3 Cascode電流源和電流鏡
6.4 電流縮放
6.5 多輸出電流源（電流鏡）
6.6 雙極型電流源（電流鏡）
6.7 電流源用作偏置和有源負載
6.7.1 有源負載差分放大器
6.8 仿真實例
習題
第7章 放大器的低頻特性分析
7.1 概述
7.2 頻域基本概念
7.3 放大器低頻響應(yīng)曲線
7.3.1 低頻傳輸函數(shù)的波特圖
7.4 使用交流分析方法進行低頻分析
7.5 低頻特性的觀察分析法
7.5.1 具有一個耦合電容的放大器
7.5.2 具有一個旁路電容的放大器
7.6 時域響應(yīng)
7.6.1 階躍響應(yīng)
7.6.2 方波響應(yīng)
7.6.3 正弦波響應(yīng)
7.6.4 旁路電容的情況
7.7 多于一個外接電容的情況
7.7.1 傳輸函數(shù)
7.7.2 下限截止頻率
7.8 仿真實例
習題
第8章 放大器的高頻特性分析
8.1 概述
8.2 高頻基本概念
8.3 放大器的高頻特性
8.4 放大器的高頻響應(yīng)曲線
8.4.1 高頻傳輸函數(shù)的波特圖
8.5 高頻分析
8.5.1 用觀察法進行高頻分析
8.6 時域響應(yīng)
8.6.1 階躍響應(yīng)
8.6.2 方波響應(yīng)
8.7 上限截止頻率
8.8 全頻率響應(yīng)特性
8.8.1 傳輸函數(shù)和頻率響應(yīng)
8.8.2 時域響應(yīng)
8.9 多級放大器的高頻特性案例分析
8.9.1 案例分析1：共源（共射）放大器
8.9.2 案例分析2：Cascode放大器
8.9.3 案例分析3：多級放大器
8.10 仿真實例
習題
參考文獻