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當今CMOS集成電路的特征尺寸已進入了納米時代。本書全面介紹了納米CMOS集成電路技術。包括納米尺度下的器件物理、集成電路的制造工藝和設計方法；介紹了存儲器、專用集成電路和片上系統；突出了漏電功耗問題和低功耗設計，討論了工藝擾動和環境變化對集成電路可靠性和信號完整性的影響。書中還包括了有關納米CMOS集成電路的測試、封裝、成品率和失效分析，并在最后探討了未來CMOS特征尺寸縮小的趨勢和面臨的挑戰。
    本書基于作者長期在Philips和NXPSemiconductors公司講授CMOS集成電路內部課程時出版的三部專著的內容，并參考當今工業界最先進的水平對這些內容進行了全面修訂和更新，這保證了本書內容與集成電路工業界的緊密聯系。本書結構嚴謹，可讀性強，書中附有大量的插圖和照片，列出了許多有價值的參考文獻，并提供了許多富有思考意義的練習題，因此本書是一本既適于教學、又適于自學的納米CMOS集成電路技術的專業引論書。
   本書可作為高等院校電子科學與技術(包括微電子與光電子)、電子與信息工程、精密儀器與機械制造、自動化、計算機科學與技術等專業本科高年級學生和研究生有關納米集成電路設計與制造方面課程的教科書，也可作為從事這一領域及相關領域的工程技術人員的參考書。<p>    當今CMOS集成電路的特征尺寸已進入了納米時代。本書全面介紹了納米CMOS集成電路技術。包括納米尺度下的器件物理、集成電路的制造工藝和設計方法；介紹了存儲器、專用集成電路和片上系統；突出了漏電功耗問題和低功耗設計，討論了工藝擾動和環境變化對集成電路可靠性和信號完整性的影響。書中還包括了有關納米CMOS集成電路的測試、封裝、成品率和失效分析，并在最后探討了未來CMOS特征尺寸縮小的趨勢和面臨的挑戰。<br />     本書基于作者長期在Philips和NXP Semiconductors公司講授CMOS集成電路內部課程時出版的三部專著的內容，并參考當今工業界最先進的水平對這些內容進行了全面修訂和更新，這保證了本書內容與集成電路工業界的緊密聯系。本書結構嚴謹，可讀性強，書中附有大量的插圖和照片，列出了許多有價值的參考文獻，并提供了許多富有思考意義的練習題，因此本書是一本既適于教學、又適于自學的納米CMOS集成電路技術的專業引論書。<br />     本書可作為高等院校電子科學與技術(包括微電子與光電子)、電子與信息工程、精密儀器與機械制造、自動化、計算機科學與技術等專業本科高年級學生和研究生有關納米集成電路設計與制造方面課程的教科書，也可作為從事這一領域及相關領域的工程技術人員的參考書。</p>

第1章　基本原理
  1.1　引言
  1.2　場效應原理
  1.3　反型層MOS晶體管
  1.4　推導簡單的MOS公式
  1.5　背偏置效應(背柵效應、體效應)和正偏置效應
  1.6　表征MOS晶體管行為的參數
  1.7　不同類型的MOS晶體管
  1.8　寄生MOS晶體管
  1.9　MOS晶體管符號
  1.10　MOS結構電容
  1.11　結論
  1.12　參考文獻
  1.13　練習題
第2章　幾何、物理和電場按比例縮小對MOS晶體管行為的影響
  2.1　引言
  2.2　零電場時的遷移率
  2.3　載流子遷移率的減小
  2.4　溝道長度調制
  2.5　短溝和窄溝效應
  2.6　溫度對載流子遷移率及閾值電壓的影響
  2.7　MOS晶體管的漏電機理
  2.8　MOS晶體管模型
  2.9　結論
  2.10　參考文獻
  2.11　練習題
第3章　MOS器件的制造
  3.1　引言
  3.2　用做起始材料的各種襯底(圓片)
  3.3　MOS工藝中的光刻
  3.4　刻蝕
  3.5　氧化
　……
第4章　CMOS電路
第5章　特殊電路、器件和工藝
第6章　存儲器
第7章　超大規模集成與專用集成電路
第8章　低功耗——IC設計的熱點
第9章　納米CMOS設計的穩定性：信號完整性、擾動和可靠性
第10章　測試、成品率、封閉、調試和失效分析
第11章　尺寸縮小對MOS IC設計及半導體技術路線的影響
索引