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《射頻/微波功率新型器件導(dǎo)論》把握新一代射頻/微波功率器件技術(shù)路線與發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開展基于雙層多晶硅新結(jié)構(gòu)的射頻/微波脈沖功率晶體管的研制及其硅化物材料熱穩(wěn)定性關(guān)鍵工藝的研究。
定性分析深槽結(jié)構(gòu)的槽深、槽寬以及槽中填充物對(duì)器件BC結(jié)擊穿電壓的影響，提出了雙深槽終端新結(jié)構(gòu)，能有效提高器件BC結(jié)的反向擊穿能力。利用步內(nèi)建模法，創(chuàng)新地提出了基于器件的三維熱電耦合模型，比器件的二維熱電耦合模型更準(zhǔn)確、更清晰地反映實(shí)測(cè)器件熱電成像的結(jié)溫分布。
摸索出在鎳中分別以夾層方式摻入少量薄層金屬Pt，Mo，W，Zr，Ta來提高鎳硅化物熱的穩(wěn)定性，以降低器件發(fā)射極、基極的電阻值。運(yùn)用吉布斯自由能理論給出了關(guān)于硅化物NiSi熱穩(wěn)定性得以改善的合理解釋。研制了帶保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)并由上述5種夾層金屬形成的NiSi/Si肖特基硅器件。器件良好的I-V電學(xué)特性表明，上述5種硅化物是令人滿意的互連和接觸材料。
　　新結(jié)構(gòu)微波功率器件的電學(xué)、熱學(xué)測(cè)試結(jié)果表明，該微波功率器件可覆蓋全射頻段，甚至擴(kuò)展至微波S波段應(yīng)用，并為開發(fā)硅基LDMOS，AlGaN/GaNHEMT新一代微波功率器件奠定了良好的研究基礎(chǔ)。

第一章 引言
1.1 微波功率器件的研究背景
1.2 硅雙極微波功率器件的發(fā)展
1.3 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1.4 本書內(nèi)容來源與安排
第二章 雙層多晶硅微波功率管的橫向參數(shù)與縱向參數(shù)設(shè)計(jì)
2.1 本章概要
2.2 硅雙極微波功率晶體管的工作原理及主要參數(shù)
2.3 器件指標(biāo)
2.4 器件設(shè)計(jì)
2.4.1 外延材料的選擇
2.4.2 器件縱向參數(shù)設(shè)計(jì)
2.4.3 器件橫向參數(shù)設(shè)計(jì)
2.5 微波功率器件的版圖設(shè)計(jì)
2.5.1 器件版圖的結(jié)構(gòu)
2.5.2 覆蓋式與梳狀版圖結(jié)構(gòu)圖形優(yōu)值比較
2.5.3 光刻掩模版的編號(hào)、名稱、次序及最小尺寸
2.5.4 器件的測(cè)試結(jié)構(gòu)
2.6 本章小結(jié)
第三章 器件特性的模擬分析
3.1 本章概要
3.2 雙層多晶硅微波功率管的電學(xué)特性模擬
3.3 提升器件擊穿電壓的槽終端技術(shù)
3.3.1 器件槽終端技術(shù)的發(fā)展
3.3.2 槽深對(duì)擊穿電壓的影響
3.3.3 槽寬對(duì)擊穿電壓的影響
3.3.4 槽中填充物對(duì)擊穿電壓的影響
3.3.5 深槽終端技術(shù)與其他終端技術(shù)的比較
3.4 功率管多子胞技術(shù)
3.4.1 器件的三維熱電耦合模型
3.4.2 器件的發(fā)射極布局
3.4.3 結(jié)果的分析與討論
3.5 本章小結(jié)
第四章 鎳硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性及其應(yīng)用研究
4.1 本章摘要
4.2 硅化物的發(fā)展過程
4.3 NiSi的熱穩(wěn)定性的研究
4.4 摻Pt，Mo，W，Zr和Ta對(duì)NiSi薄膜熱穩(wěn)定性的改善
4.4.1 摻Pt對(duì)NiSi薄膜熱穩(wěn)定性的改善
4.4.2 摻Mo對(duì)NiSi薄膜熱穩(wěn)定性的改善
4.4.3 摻W對(duì)NiSi薄膜熱穩(wěn)定性的改善
4.4.4 摻Zr對(duì)NiSi薄膜熱穩(wěn)定性的改善
4.4.5 摻Ta對(duì)NiSi薄膜熱穩(wěn)定性的改善
4.5 鎳硅化物熱穩(wěn)定性的理論研究
4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的應(yīng)用研究
4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的設(shè)計(jì)
4.6.2 肖特基器件的工藝流程
4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的電學(xué)特性
4.6.4 Ni（Pt）Si/Si，Ni（Mo）Si/Si，Ni（W）Si/Si，Ni（Zr）Si/Si和Ni（Ta）Si/Si器件的電學(xué)特性研究
4.7 NiSi與Ni（Pt）Si，Ni（Mo）Si，Ni（W）Si，Ni（Zr）Si和Ni（Ta）Si熱穩(wěn)定性的比較
4.8 本章小結(jié)
第五章 關(guān)鍵工藝技術(shù)的研究
5.1 本章概要
5.2 硅深槽隔離技術(shù)研究
5.3 外基區(qū)的形成以及側(cè)墻發(fā)射極的形成
5.3.1 外基區(qū)的形成
5.3.2 基區(qū)側(cè)墻的形成
5.3.3 發(fā)射極的形成
5.4 自對(duì)準(zhǔn)鈷硅化物引線技術(shù)
5.5 本章小結(jié)
第六章 器件制造流程
6.1 本章概要
6.2 器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工藝特點(diǎn)
6.3 器件的工藝流程
6.4 工藝流片中的注意事項(xiàng)
6.5 本章小結(jié)
第七章 微波功率器件的測(cè)試與分析
7.1 本章概要
7.2 器件的直流參數(shù)測(cè)試
7.3 深槽擊穿特性的合格率測(cè)試
7.4 器件的熱性能測(cè)試
7.5 器件的微波特性測(cè)試結(jié)果
7.6 本章小結(jié)
第八章 射頻/微波功率器件的最新發(fā)展
8.1 本章概要
8.2 微波功率器件的主要領(lǐng)域
8.2.1 無線通信領(lǐng)域
8.2.2 軍用電子系統(tǒng)和雷達(dá)
8.2.3 醫(yī)療電子
8.3 RFLDMOS技術(shù)的發(fā)展
8.3.1 RFLDMOS的關(guān)鍵參數(shù)
8.3.2 RFLDMOS的新結(jié)構(gòu)器件
8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技術(shù)
8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高電子遷移率器件毫米波功率技術(shù)的起源
8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高電子遷移率器件毫米波功率技術(shù)的發(fā)展
8.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)