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本書是作者多年來在微波和光通信技術(shù)領(lǐng)域工作、學(xué)習(xí)、研究和教學(xué)過程中獲得知識和經(jīng)驗的總結(jié)。本書主要研究內(nèi)容包括微波信號網(wǎng)絡(luò)矩陣技術(shù)和噪聲網(wǎng)絡(luò)矩陣技術(shù)，和依此為基礎(chǔ)的場效應(yīng)晶體管射頻微波建模和測試技術(shù)。其中，微波射頻場效應(yīng)晶體管小信號等效電路模型，大信號非線性等效電路模型和噪聲模型，以及模型參數(shù)的提取技術(shù)是本書的重點。
本書可以作為微波專業(yè)和電路與系統(tǒng)專業(yè)的高年級本科生和研究生教材，也可以供從事集成電路設(shè)計的科研人員參考。

第1章　緒論
　1.1　III-V族化合物半導(dǎo)體器件及集成電路應(yīng)用背景
　1.2　射頻微波器件和電路的計算機輔助設(shè)計
　1.3　本書的目標(biāo)和結(jié)構(gòu)
　參考文獻(xiàn)
第2章　微波網(wǎng)絡(luò)信號和噪聲矩陣技術(shù)
　2.1　二端口網(wǎng)絡(luò)的信號參數(shù)矩陣
　2.2　微波網(wǎng)絡(luò)S參數(shù)和T參數(shù)矩陣
　2.3　微波網(wǎng)絡(luò)噪聲矩陣技術(shù)
　2.4　二端口網(wǎng)絡(luò)的互聯(lián)
　2.5　三端口網(wǎng)絡(luò)和二端口網(wǎng)絡(luò)之間的關(guān)系　
　2.6　二端口網(wǎng)絡(luò)的信號流程圖
　2.7　典型的Π型和T型網(wǎng)絡(luò)　
　本章小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第3章　場效應(yīng)晶體管小信號等效電路模型和參數(shù)提取技術(shù)
　3.1　HEMT器件工作原理
　3.2　FET器件小信號等效電路模型
　3.3　典型的PHEMT器件結(jié)構(gòu)
　3.4　PAD電容提取技術(shù)
　3.5　寄生電感提取技術(shù)
　3.6　寄生電阻提取技術(shù)
　3.7　本征元件提取技術(shù)
　3.8　改進(jìn)的反向截止方法
　3.9　小信號等效電路模型參數(shù)和器件柵寬的比例關(guān)系
　3.10　半分析模型參數(shù)提取技術(shù)
　本章小結(jié)
　參考文獻(xiàn)
第4章　場效應(yīng)晶體管非線性等效電路模型及參數(shù)提取技術(shù)
第5章　場效應(yīng)晶體管噪聲等效電路模型及參數(shù)提取技術(shù)
第6章　FET器件神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模技術(shù)