物理學(xué)報(bào)  1999, Vol. 48  Issue (2): 257-266

朱鶴孫1, 陳廣超2, 江德儀2, 姚鑫茲2, 杜小龍3
(1)北京理工大學(xué)，北京 100081; (2)中國(guó)科學(xué)院物理研究所，北京 100080; (3)中國(guó)科學(xué)院物理研究所，北京 100080；北京理工大學(xué)，北京 100081
PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS
ZHU HE-SUN1, CHEN GUANG-CHAO2, JIANG DE-YI2, YAO XIN-ZI2, DU XIAO-LONG3

摘要： 為了解并優(yōu)化在電子回旋共振等離子體輔助化學(xué)汽相沉積GaN晶膜的工藝研究中的等離子體特性，利用朗繆爾探針及法拉第筒系統(tǒng)地測(cè)量了離子密度(Ni)、等離子體勢(shì)(Vp)、電子溫度(Te)及離子流強(qiáng)(Ji)等多個(gè)等離子體參量隨微波功率(Pw)及沉膜室氣壓(p)變化的關(guān)系.給出了在Pw＝850W，p＝0.22Pa時(shí)，上述等離子體參量的軸向及徑向分布.GaN晶膜的生長(zhǎng)速率、電學(xué)及晶體學(xué)性能

引用本文:   
杜小龍,陳廣超,江德儀 等 . 電子回旋共振等離子體特性及其對(duì)生長(zhǎng)氮化鎵晶膜的影響. 物理學(xué)報(bào), 1999, 48(2): 266. 
Cite this article:   
DU XIAO-LONG,CHEN GUANG-CHAO,JIANG DE-YI et al. PROPERTIES OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMAS AND THEIR INFLUENCE ON THE DEPOSITION OF GaN FILMS. Acta Phys. Sin., 1999, 48(2): 257-266. 

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