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| 資料語言： | 簡體中文 |
| 資料類別： | PDF文檔 |
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| 更新時間： | 2015-09-03 00:41:35 |
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一位長期在實驗室工作的工程師積累的案例
本文根據(jù)EMC測試工程師長期實驗室的測試經(jīng)驗，從電源、器件選型、PCB、結(jié)構(gòu)等方面總結(jié)了輻射發(fā)射超標的原因。
目 錄
1 前言..3
2 輻射發(fā)射測試要求..4
2.1 測試限制.. 4
2.2 測試布置.. 5
2.2.1 被測設備布局..5
2.2.2 測試儀器布局..5
3 PCB設計與輻射發(fā)射之間的關系6
3.1 輻射源距離接口太近7
3.2 關鍵信號線未布內(nèi)層8
3.3 電源地平面分割不合理..9
3.4 其它11
4 電源端口與輻射發(fā)射之間的關系..13
4.1 電源端口輻射發(fā)射超標的常見原因.13
4.2 電源端口輻射發(fā)射超標的常見案例.15
4.2.1 濾波器安裝問題..15
4.2.2 電源線布線－環(huán)路問題..17
4.2.3 平行走線串擾問題.18
5 電纜導致RE超標原因分析.. 20
5.1 電纜輻射的原因20
5.1.1 電纜連接器與機殼搭接不良。..20
5.1.2 線纜插頭外殼與電纜屏蔽層搭接不良。.21
5.1.3 對屏蔽層應該雙端接地的電纜的不正確處理..21
5.1.4 信號電纜的鋪設..22
5.1.5 金屬體不作搭接穿過屏蔽機殼。.22
5.1.6 其他計存缺陷。..22
5.2 典型案例分析. 22
5.2.1 機柜接地線帶來的輻射..23
5.2.2 電纜連接器搭接不良導致輻射超標24
6 器件選型與輻射發(fā)射. 25
6.1 器件導致EMI的原因25
6.2 電子器件選型分類..26
6.3 EMI抑制器件在實際應用中遇到的常見問題..27
6.3.1 器件導致的EMI案例分析27
7 結(jié)構(gòu)屏蔽導致RE超標原因分析30
7.1 吸收損耗 32
7.2 反射損耗 33
7.3 屏蔽中斷 34
7.4 結(jié)構(gòu)的常見原因36
7.5 結(jié)構(gòu)問題導致輻射發(fā)射超標的常見案例..37
7.5.1 穿越屏蔽體的螺柱造成的輻射..37
7.5.2 屏蔽插座與結(jié)構(gòu)搭接不良對屏蔽效能的影響..38
7.5.3 盲插頭EMC問題一例－受力配合問題對于屏蔽的影響.. 40
7.5.4 門鎖也能變天線—門鎖未接地導致屏蔽層被穿透造成的頻效下降.45
7.5.5 小小導電布，安裝要注意－導電布安裝引起的結(jié)構(gòu)問題一.46
7.5.6 導電布導電，粘貼膠不導電－導電布安裝引起的結(jié)構(gòu)問題二48
7.5.7 某產(chǎn)品所用德國Rittal機柜電磁泄露問題分析案例－導電布案例三49
7.5.8 某產(chǎn)品EMC輻射發(fā)射測試定位總結(jié)－光扣板和導電膠圈的問題.50
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