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手機RF MEMS發展潛力大 探微攜手臺系IC設計業搶市
臺系微機電(MEMS)晶圓廠探微科技副董事長兼執行長胡慶建表示，隨著消費性電子產品熱賣，預期全球MEMS年產值在2010年時可以重回65億~70億美...
發布時間：2010-09-07 21:15:15 -
發布時間：2009-06-04 21:38:49
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低壓驅動RF MEMS開關設計與模擬--用于MEMS開關缺陷的改進
近年來射頻微電子系統(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關注，特別是MEMS開關構建的移相器與天線，是實現上萬單元相控陣雷達的...
發布時間：2010-11-05 21:15:24 -
發布時間：2010-09-02 21:57:29
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RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大關鍵技術
射頻工程師對射頻前端器件提出了更高的要求，促使射頻半導體廠商加速研發創新RF技術與解決方案，包括RF MEMS及軟件定義無線電(SDR)、天線頻率調整等新興技術，已受到終端設備制造商關注。
發布時間：2013-07-05 00:00:00 -
RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機的兩大關鍵技術
隨著LTE多頻多模智能手機時代的來臨，新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎上增加支持LTE模式及相應的工作頻段，并實現國際漫游的工作頻段，頻段總量接近40個。頻段的快速增加引發內部射頻(RF)天線尺寸與功耗過大問題，如何降低天線數量、尺寸并增強信號接收性能與頻寬是當前工程師面臨的問題。射頻工程師對射頻前端器件提出了更
發布時間：2013-12-13 00:00:00 -
發布時間：2014-01-13 00:00:00
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RF MEMS關鍵技術與器件
文章介紹了RF MEMS的基本概念、基本特征與關鍵工藝技術。文章在介紹了RF—MEMS元器件的基礎上，對RF MEMS與MMIC進行了比較，分析了RF MEMS需解決的重點問題。最后對RF MEMS的發展前景進行了展望。
發布時間：2014-01-17 00:00:00 -
ADI公司將RF MEMS開關技術真正投入商用
ADI宣布在開關技術領域取得的重大突破，提供用戶期盼已久的替代產品，以取代100多年前即被電子行業采用的機電繼電器設計。由繼電器導致的多種性能局限早在電報問世之初就已存在，ADI公司全新的RF-MEMS開關技術解決了此類局限，從而能夠開發出更快速、小巧、節能、可靠的儀器儀表。
發布時間：2016-11-15 00:00:00 -
5G射頻前端 | RF MEMS與RF SOI 兩種工藝誰才是主流？
即便不考慮RF設備和工藝類型的變革，當今RF市場的挑戰也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡單的設計，但是現在，事情已經發生了大大的改變。首先，您的射頻前端必須處理范圍非常廣泛的頻帶，從600MHz一直延伸到3GHz。
發布時間：2017-07-05 00:00:00 -
RF MEMS開關技術
從驅動方式和機械結構的角度介紹了不同的RF MEMS開關類型，分析了各類MEMS開關的性能及優缺點，分析了MEMS開關在制作和發展中面臨的犧牲層技術、封裝技術、可靠性問題等關鍵技術和問題，介紹了MEMS開關的發展現狀及其在組件級和系統級的應用，以及對MEMS開關技術的展望。
發布時間：2023-03-16 00:00:00
