臺(tái)系微機(jī)電(MEMS)晶圓廠探微科技副董事長(zhǎng)兼執(zhí)行長(zhǎng)胡慶建表示,隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品熱賣,預(yù)期全球MEMS年產(chǎn)值在2010年時(shí)可以重回65億~70億美...
0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲得了廣...
近年來射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬單元相控陣?yán)走_(dá)的...
對(duì)正在為iPhone4可能斷話而感到沮喪的使用者來說,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RFMEMS)也許可以提供解決之道──RFMEMS半導(dǎo)體的性能將可用于改良手機(jī)天...
射頻工程師對(duì)射頻前端器件提出了更高的要求,促使射頻半導(dǎo)體廠商加速研發(fā)創(chuàng)新RF技術(shù)與解決方案,包括RF MEMS及軟件定義無線電(SDR)、天線頻率調(diào)整等新興技術(shù),已受到終端設(shè)備制造商關(guān)注。
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段,并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線尺寸與功耗過大問題,如何降低天線數(shù)量、尺寸并增強(qiáng)信號(hào)接收性能與頻寬是當(dāng)前工程師面臨的問題。射頻工程師對(duì)射頻前端器件提出了更
基于微納諧振器的MEMS振蕩器,具有高頻、高品質(zhì)因子(>103),可與IC電路在同一芯片集成,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化,在軍民兩用高技術(shù)領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用。
文章介紹了RF MEMS的基本概念、基本特征與關(guān)鍵工藝技術(shù)。文章在介紹了RF—MEMS元器件的基礎(chǔ)上,對(duì)RF MEMS與MMIC進(jìn)行了比較,分析了RF MEMS需解決的重點(diǎn)問題。最后對(duì)RF MEMS的發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
ADI宣布在開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域取得的重大突破,提供用戶期盼已久的替代產(chǎn)品,以取代100多年前即被電子行業(yè)采用的機(jī)電繼電器設(shè)計(jì)。由繼電器導(dǎo)致的多種性能局限早在電報(bào)問世之初就已存在,ADI公司全新的RF-MEMS開關(guān)技術(shù)解決了此類局限,從而能夠開發(fā)出更快速、小巧、節(jié)能、可靠的儀器儀表。
即便不考慮RF設(shè)備和工藝類型的變革,當(dāng)今RF市場(chǎng)的挑戰(zhàn)也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執(zhí)行官Paul Dal Santo表示:“幾年前,RF還是一項(xiàng)相當(dāng)簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì),但是現(xiàn)在,事情已經(jīng)發(fā)生了大大的改變。首先,您的射頻前端必須處理范圍非常廣泛的頻帶,從600MHz一直延伸到3GHz。
從驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn),分析了MEMS開關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問題等關(guān)鍵技術(shù)和問題,介紹了MEMS開關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用,以及對(duì)MEMS開關(guān)技術(shù)的展望。