臺系微機電(MEMS)晶圓廠探微科技副董事長兼執行長胡慶建表示,隨著消費性電子產品熱賣,預期全球MEMS年產值在2010年時可以重回65億~70億美...
近年來射頻微電子系統(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關注,特別是MEMS開關構建的移相器與天線,是實現上萬單元相控陣雷達的...
射頻工程師對射頻前端器件提出了更高的要求,促使射頻半導體廠商加速研發創新RF技術與解決方案,包括RF MEMS及軟件定義無線電(SDR)、天線頻率調整等新興技術,已受到終端設備制造商關注。
隨著LTE多頻多模智能手機時代的來臨,新一代智能手機要求在2G、3G模式基礎上增加支持LTE模式及相應的工作頻段,并實現國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個。頻段的快速增加引發內部射頻(RF)天線尺寸與功耗過大問題,如何降低天線數量、尺寸并增強信號接收性能與頻寬是當前工程師面臨的問題。射頻工程師對射頻前端器件提出了更
文章介紹了RF MEMS的基本概念、基本特征與關鍵工藝技術。文章在介紹了RF—MEMS元器件的基礎上,對RF MEMS與MMIC進行了比較,分析了RF MEMS需解決的重點問題。最后對RF MEMS的發展前景進行了展望。
ADI宣布在開關技術領域取得的重大突破,提供用戶期盼已久的替代產品,以取代100多年前即被電子行業采用的機電繼電器設計。由繼電器導致的多種性能局限早在電報問世之初就已存在,ADI公司全新的RF-MEMS開關技術解決了此類局限,從而能夠開發出更快速、小巧、節能、可靠的儀器儀表。
即便不考慮RF設備和工藝類型的變革,當今RF市場的挑戰也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執行官Paul Dal Santo表示:“幾年前,RF還是一項相當簡單的設計,但是現在,事情已經發生了大大的改變。首先,您的射頻前端必須處理范圍非常廣泛的頻帶,從600MHz一直延伸到3GHz。
從驅動方式和機械結構的角度介紹了不同的RF MEMS開關類型,分析了各類MEMS開關的性能及優缺點,分析了MEMS開關在制作和發展中面臨的犧牲層技術、封裝技術、可靠性問題等關鍵技術和問題,介紹了MEMS開關的發展現狀及其在組件級和系統級的應用,以及對MEMS開關技術的展望。