日前，由中國科學院EDA中心承接的高性能IP模塊研制課題，在陳嵐研究員和吳玉平研究員的帶領下，研究小組成員克服時間緊、任務重等困難，在基于SiGe工藝下的射頻IP關鍵核心模塊的研制工作取得了重要進展，并獲得了上海華虹NEC電子有限公司的高度認可。

自從華虹NEC的0.13um SiGe HBT平臺開放后，高性能IP研究小組又立即針對該平臺進行了部分射頻IP的設計工作，目前已進入制版階段，并將很快進行流片驗證。在整個項目的合作中，高性能IP研究小組主動與華虹NEC進行全面的探討和交流，推進了該項目的順利進行，并獲得了華虹NEC的高度認可。