據國防科技信息網報道，歐盟宣布芯片試生產線增至5條。此前，歐盟宣布建設全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）試生產線。新增生產線包括包括發光二極管和450mm晶圓等。

該五條芯片試生產線項目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略”的一部分，共涉及來自20個國家的128個公司，總投資將超過7億歐元，包括歐盟各成員國和工業界的投資，其中歐盟將出資1億歐元。五個項目中的大部分從2013年啟動運行，持續到2015年底結束。

五條試生產線項目分別是：

（1）AGATE試生產線：該項目由法國晶圓制造公司Soitec公司領導，包括10家公司，目標是為功率半導體器件和發光二極管生產低成本的硅基氮化鎵（GaN）晶圓，計劃于2015年12月結束。

（2）E450EDL試生產線，該項目由比利時微電子研究中心（IMEC）和荷蘭艾司摩爾（ASML）公司領導，包括來自11個國家的43家公司，目標是為450mm晶圓驗證設備、材料和前道工藝，計劃于2016年9月結束。

（3）EPPL試生產線：該項目由位于德國和奧地利的英飛凌（Infineon）公司領導，包括31家公司，目標是開發功率器件用薄晶圓，計劃于2016年3月結束。

（4）Lab4MEMS試生產線。主要工業試生產線分別位于ST半導體公司的兩個工廠：前道工藝位于意大利的Agrate，后道工藝位于歐洲Malta，由分布在9個國家的研究中心、小企業和研究實驗室共同參與支持。該項目于2013年1月啟動，計劃運行30個月。

（5）Places2Be試生產線。該項目為期三年，總預算3.6億歐元（大約4.65億美元），促進歐洲實現FDSOI制造工藝的工業化。該項目由在FDSOI領域處于領先地位的ST公司領導，并將在ST位于法國克羅爾市的晶圓廠和格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）公司位于德國德累斯頓市的第一生產廠內建立試生產線。包括23個研究單位，目標是通過解決產量和應用等挑戰，以將該技術帶入工業界。

歐盟副主席尼莉•克羅斯說：“我們沒有任何時間可以浪費了，這些計劃對實現歐洲電子策略做出了實質性的貢獻。到2013年底，我希望看到工業界實現芯片制造量翻倍、生產量達全球產量20%的目標”。

為此，5月29日克羅斯主持召開了各國家和地區部長會議，歐洲主要半導體制造商和世界知名研究人員也參與其中，共同商討策略的實施。

（工業和信息化部電子科學技術情報研究所  張倩）