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NXP:4G部署加速 射頻器件供應鏈產能挑戰凸顯

2014-03-17 來源:微波射頻網 字號:

在去年底國內4G牌照發放后,中國移動和中國電信先后啟動了4G商用服務,中國聯通也將于近日開啟4G業務。工信部通信發展司司長聞庫在年初召開的“全球LTE運營發展高峰論壇”上表示,今年全國將有超過300個城市開啟4G服務,保守預計至少發展3000萬4G用戶,樂觀預計則會突破5000萬。

4G通信的迅速發展,尤其是中國三家運營商4G網絡的建設計劃,給微波和射頻產業帶來一個巨大的機遇,同時也是對整個供應鏈產能的一個挑戰,恩智浦半導體(NXP)無線通訊及射頻業務大中華區區域高級市場經理潘璠近日接受微波射頻網專訪時表示。

潘璠分析,大規模的網絡規劃和建設推動著通信產業不斷發展、變化和創新;對高效率的追求,對低成本的要求,也驅動著新一代的高性能方案不斷推出以及新材料研發的完善與商業化。

潘璠表示,作為全球領先的射頻功率半導體廠商,恩智浦依托行業領先的技術能力,能夠提供一流的解決方案以滿足LTE、LTE-Advanced和5G通信網絡的需求。與此同時,恩智浦也正在積極投入擴充產能和生產效率優化,以應對爆發式的器件需求給器件產業鏈所帶來的巨大壓力。

針對下一代無線基站類無線無線基礎設施,無論是針對高功率射頻應用的LDMOS和GaN,還是針對小信號需求的SiGe和BiCMOS,恩智浦都能夠提供非常豐富的全系列的射頻解決方案,潘璠介紹說。

宏基站方面,恩智浦能夠提供一系列覆蓋各個頻段、各個功率等級的解決方案。同時,恩智浦也正在積極開發第九代LDMOS(有望今年Q2發布)和針對基站應用的GaN射頻功率器件,進一步提升產品的效率、功率密度和散熱性能。

微基站方面(SmallCell),恩智浦能夠提供一系列覆蓋各個頻段,各個所需功率等級的解決方案,并且針對SmallCell的特性,能夠實現電路尺寸更小、效率更高、更理性的寬帶特性等特點,比如雙通路MMIC、集成Doherty器件。

在GaN方面,在雷達與對抗領域,恩智浦已經于去年發布幾款GaN器件。在2014年,恩智浦將著手開發面向移動通信/基站應用的GaN,側重于針對移動通信的帶寬優化和系統要求的GaN器件,以及更高性價比的設計。

同時,恩智浦還在開發使用GaN開關晶體管的數字功率放大器,可提供比線性放大器更高的效率。這些開關模式功率放大器(SMPA)可用于多頻帶而無需更改任何硬件,并且將成為推動未來“終極”基站發展的關鍵因素,潘璠強調。正如恩智浦其他的GaN工藝,0.25μmGHSM工藝采用SiC襯底,具有更佳的可靠度、卓越的射頻性能和增強的熱管理,進一步突出了堅定地選擇GaN的優勢。

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