據(jù)ABI Research網(wǎng)站1月26日?qǐng)?bào)道 雖然RF（射頻）功率半導(dǎo)體在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)仍處于停滯狀態(tài)，但在其他市場(chǎng)，尤其是軍品市場(chǎng)，形勢(shì)已開始好轉(zhuǎn)。據(jù)美國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ABI Research最新報(bào)告指出，GaN（氮化鎵）作為未來很有潛力的RF功率器件制備材料，將進(jìn)一步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。

    GaN兼具GaAs（砷化鎵）的高頻性能和硅基LDMOS器件的功率處理能力，現(xiàn)已成為主流技術(shù)，取得了一定市場(chǎng)份額，并將在未來市場(chǎng)中占有一席之地。

    不同于無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，軍品市場(chǎng)的RF功率器件交易表現(xiàn)出強(qiáng)勁上揚(yáng)的態(tài)勢(shì)。雖然生產(chǎn)商集中在幾個(gè)主要工業(yè)化國(guó)家，但隨著軍品市場(chǎng)的全球化，買方可來自世界各地。

    RF功率器件是指頻率達(dá)到3.8GHz且輸出功率在5W以上的半導(dǎo)體器件，可以滿足現(xiàn)有大部分應(yīng)用需求。

    (工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所 陳 思)