氮化鎵功率半導體市場將在2018年增長到超過2.5億美元。可工作在4～18GHz的氮化鎵器件已成為微波射頻功率市場的新增長點。

美國ABI市場情報研究公司表示，大功率氮化鎵器件將使點對點通信、衛(wèi)星通信（SATCOM）、各種類型雷達、新工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用受益。除此之外，微波氮化鎵最終將達到行波管的性能，并對行波管傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域形成嚴峻挑戰(zhàn)。

研究總監(jiān)蘭斯·威爾遜指出：“雖然目前砷化鎵器件是微波射頻功率器件的支柱，但氮化鎵將推動微波射頻功率器件的繼續(xù)增長。氮化鎵可以工作在砷化鎵器件難以達到的更高電壓和功率。”

“微波射頻功率半導體”表示工作在4～18GHz、輸出功率大于3W的微波射頻功率半導體器件。此次研究為新開展的研究，是ABI公司為解決射頻功率行業(yè)所面臨的重大變化而采取措施的一部分。

在該報告的當前版本中，對六個主要垂直部分（C波段砷化鎵、C波段氮化鎵，X波段砷化鎵，X波段氮化鎵，Ku波段砷化鎵和Ku波段的氮化鎵）的分析擴大至28個子應(yīng)用部分。這些研究結(jié)果是ABI公司的大功率射頻有源器件研究服務(wù)的一部分，該服務(wù)還包括其他研究報告、市場數(shù)據(jù)和分析師咨詢支持。（工業(yè)和信息化部電子科學技術(shù)