市場研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵（GaN）器件的普遍應(yīng)用，在微波射頻功率半導(dǎo)體器件方面的開銷將持續(xù)增長。ABI Research預(yù)計(jì)，微波射頻半導(dǎo)體市場規(guī)模有望在2019年之前超過3億美元。點(diǎn)到點(diǎn)通信、衛(wèi)星通信、各種雷達(dá)和新型工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用都將從這些大功率GaN器件的應(yīng)用中獲益。

“當(dāng)砷化鎵（GaAs）器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時(shí)候，GaN器件將促進(jìn)增長。”ABI研究公司市場調(diào)研總監(jiān)Lance Wilson表示，“GaN器件能在更高電壓和功率下工作，而這是GaAs器件所難以實(shí)現(xiàn)的。”

除了上述領(lǐng)域的應(yīng)用之外，微波GaN器件終于達(dá)到了能對行波管構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)的性能水平，這將使歷史上使用后者的領(lǐng)域能夠進(jìn)行新的設(shè)計(jì)。

“微波射頻功率半導(dǎo)體”是指輸出功率超過3瓦、工作頻率在4～18GHz的微波射頻功率半導(dǎo)體器件。該研究是ABI Research不斷跟蹤射頻功率工業(yè)領(lǐng)域主要變化的成果。

該研究涉及對六個(gè)主要領(lǐng)域（C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件）以及28個(gè)應(yīng)用子領(lǐng)域的分析。