近日，法國著名咨詢公司Yole在名為《2016～2020年氮化鎵（GaN）射頻市場：應(yīng)用、企業(yè)、技術(shù)和襯底》的報(bào)告中預(yù)測，2016～2020年GaN射頻器件市場將擴(kuò)大至目前的2倍，市場復(fù)合年增長率（CAGR）將達(dá)到4%；2020年末，市場規(guī)模將擴(kuò)大至目前的2.5倍。

2015年，受益于中國LTE網(wǎng)絡(luò)的大規(guī)模應(yīng)用，帶來無線基礎(chǔ)設(shè)施市場的大幅增長，有力地刺激了GaN射頻產(chǎn)業(yè)。2015年末，整個GaN射頻市場規(guī)模接近3億美元。2017～2018年，在無線基礎(chǔ)設(shè)施及國防應(yīng)用市場需求增長的推動下，，GaN市場會進(jìn)一步放大，但增速會較2015年有所放緩。2019～2020年，5G網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施將接棒推動氮化鎵市場增長。

GaN應(yīng)用領(lǐng)域包括軍事和宇航、無線基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星通信、有線寬帶，以及其它ISM頻段應(yīng)用。

GaN最初是為支持政府軍事和太空項(xiàng)目而開發(fā)，但已得到商業(yè)市場的完全認(rèn)可和應(yīng)用，在無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應(yīng)用已超越國防應(yīng)用，市場占比超過GaN市場總量的一半以上。隨著對數(shù)據(jù)傳輸及更高工作頻率和帶寬需求的增長，2016～2022年無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的CAGR將達(dá)到16%。在未來的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中，如載波聚合和大規(guī)模MIMO等新技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用，將使GaN比現(xiàn)有橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）更具優(yōu)勢。

但與此同時，國防領(lǐng)域仍將是GaN不可忽視的重要應(yīng)用市場，并保持穩(wěn)定增長。GaN在國防領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括IED干擾器、軍事通訊、雷達(dá)、電子對抗等。GaN將在越來越多的國防產(chǎn)品中得到應(yīng)用，充分體現(xiàn)其在提高功率、縮小體積和簡化設(shè)計(jì)方面的巨大優(yōu)勢。

GaN領(lǐng)域的企業(yè)包括美國的美高森美（Microsemi）、M-A/COM、Qorvo、雷聲、諾格、Wolfspeed、Anadigics，荷蘭Ampleon和恩智浦（NXP），德國UMS，韓國RFHIC，日本的三菱（Mitsubishi）和住友（Sumitomo）。（注：科銳Cree2015年9月3日宣布將把旗下的功率和射頻部門更名為Wolfspeed）。

下一步，碳化硅基GaN技術(shù)（GaN-on-SiC）和硅基GaN技術(shù)（GaN-on-Silicon）將繼續(xù)并行發(fā)展。目前，GaN-on-SiC占GaN商用器件總量的95%以上，成熟度遠(yuǎn)高于GaN-on-Silicon。但GaN-on-Silicon將對成本敏感的應(yīng)用領(lǐng)域形成吸引力，如LTE、衛(wèi)星通信終端、有線電視和射頻能量收集等，并對GaN-on-SiC市場形成挑戰(zhàn)。