電信和國防應用推動射頻氮化鎵（RF GaN）蓬勃發展。根據市調機構Yole調查指出，RF GaN產業于2017~2023年間的年復合增長率達到23%。隨著工業不斷地發展，截至2017年底，RF GaN市場產值已經接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。

目前國防仍是RF GaN的主要市場，因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低，因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年，國防部門占了RF GaN市場總量的35％以上，完全沒有減少的趨勢。Yole資深技術與市場分析師Hong Lin表示，我們相信這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。

RF GaN已經被工業公司認可，并明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入，這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從知識產權的角度來看，美國和日本主導著整個RF GaN知識產權系統。

Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論，科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的知識產權地位，尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron- mobility transistor, HEMT) 。住友電氣工業雖是RF GaN設備的市場領導者，仍落后于Cree。此外，住友電氣工業的專利活動放慢了腳步，然而富士通、東芝和三菱電機等其他日本公司正在加快他們的專利申請，因此現在也擁有強大的專利組合。

Baron進一步說明，Cree也在RF GaN HEMT知識產權的競賽中處于領先地位。針對Cree的RF GaN專利組合分析顯示，它可以有效地限制該領域的專利活動并控制大部分關鍵國家其他企業的FTO (Freedom to Operate, FTO)。

另一方面，英特爾和全科科技目前也十分積極進行RF GaN專利申請，尤其是在GaN-on-Silicon技術方面，如今已成為RF GaN專利領域的主要知識產權挑戰者。參與RF GaN市場的其他公司，如Qorvo、雷神、諾格(Northrop Grumman)、恩智浦(NXP)和英飛凌(Infineon)，同樣擁有一些關鍵專利，但未必擁有強大的知識產權地位。

Yole指出，剛進入GaN HEMT專利領域的英特爾，目前是最活躍的專利申請人，且應該會在未來幾年加強其知識產權地位，特別是對于GaN-on-Silicon技術。其余GaN RF HEMT相關專利領域的新進入者，主要包含中國企業海威華、三安光電和北京華進創維電子；而其他值得注意的新進入者包括臺灣的臺積電和聯穎光電，韓國的Wavice和Gigalane，日本的愛德萬測試，以及美國的全科科技和安森美半導體。

另外，中國電子科技集團和西安電子科技大學針對RF GaN在微波和毫米波的應用技術，領導了中國的專利領域。三年前進入知識產權領域的新興代工廠海威華是當今中國知識產權的最強挑戰者；然而，美國和日本公司依舊在RF GaN 知識產權領域中發揮關鍵作用。