手機芯片大廠高通（Qualcomm）在開發LTE芯片往前邁進一步！高通確定今年將推出28納米制程的多模LTE芯片，除了與宏達電合作推出LTE智慧型手機外，近期也計劃與OEM廠商合作推出支援LTE的平板裝置。同時，高通更積極進軍中國TD-LTE市場，推出同時整合FDD/TDD、以及3G和EDGE規格的TD-LTE芯片。

高通大中華區業務發展副總裁沉勁表示，28納米的LTE芯片組，將瞄準智慧型手機和平板市場。 在出席臺灣4G無線寬頻研討會上，高通大中華區業務發展副總裁沉勁表示，28納米的LTE芯片組，將瞄準智慧型手機和平板市場，除了宏達電之外，高通也會深化與華寶通訊的合作廣度。在小筆電領域，高通也會繼續和華碩和宏碁密切合作。

沉勁進一步指出，100美元價格甚至以下的智慧型手機產品，將成為新興市場另一波的新商機，因此能夠整合更多無線通訊標準、具有價格競爭力的多模芯片，才有機會掌握這波中低階智慧手機的發展趨勢。未來LTE芯片勢必以多模架構為主流，非對稱（unpaired）的多時分工（Time Division Duplex；TDD）技術，可大幅降低LTE芯片功耗，并更有效地利用雙核心處理器資源。

確定在今年將會推出樣品的新款28納米多模LTE芯片組，整合HSPA、CDMA2000 EV-DO Rev.2和EDGE等規格，統統包辦了2G～3.9G無線通訊標準，同時也結合WLAN、 GPS、藍牙和FM等無線連結功能。這款雙核LTE芯片除了處理效能可達1.4GHz之外，也強調多媒體和繪圖處理的能力。

中國移動通信研究院副院長王曉云在臺灣4G無線寬頻研討會上也指出，目前除了高通之外，包括三星、邁威爾（Marvell）、ST-Ericsson、Sequans、Beceem（現為Broadcom所并購）、Altair Semiconductor、Wavesat、Nokia、LG和聯發科等，以及中國的海思（Hisilicon）、創毅視訊（Innofidei）、重郵信科（CYIT）、展訊（Spreadtrum）、中興和大唐等，都已經具備清楚的多模LTE芯片架構發展輪廓。

這些正在投入的LTE芯片商，大部分都朝向整合對稱（paired）分頻多工（Frequency Division Duplex；FDD）和非對稱分時多工（TDD）架構，并且進一步整合EDGE、TD-SCDMA或是UMTS等多模無線通訊標準。