高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc. 日前宣布Compound Semiconductor雜志頒發該公司的PowerSmart功率平臺（RFRD6460）為2011年化合物半導體業界的最創新元件。 該獎項是于2011年3月22日由Compound Semiconductor雜志于德國法蘭克福的2011 CS Industry Awards 中頒發。

RFMD的革命性PowerSmart功率平臺具備射頻可配置功率核心（RF Configurable Power Core），其提供所有移動通訊調變方案的多頻、多模涵蓋率，達4G LTE 64QAM。 PowerSmart功率平臺并于一個精小的參考設計內包括了所有必要的轉換和訊號處理功能，提供領導級元件制造商一個針對整個蜂窩式前端的單一可擴展來源。

RFMD PowerSmart功率平臺的卓越設計彈性，可協助智能手機和平板設備的設計者免除數個月的開發時間，并透過單一設計涵蓋更廣泛的市場，同時相較于競爭性產品可節省相當程度的尺寸、功耗和研發成本。

RFMD總裁兼執行官Bob Bruggeworth表示：“我們非常高興Compound Semiconductor雜志肯定RFMD的PowerSmart 為2011年化合物半導體業界最創新的元件。 RFMD專注于擴展我們于化合物半導體業界領導性至多重市場，我們相信PowerSmart 位居多模、多頻智能手機轉移至聚合式前端的技術前鋒。”

除了GaAs PowerSmart技術外，RFMD于砷化鎵聚光型光電系統和氮化鎵高功率放大器的努力更于全球成長最快的市場中，協助延伸于化合物半導體業界的重要性。

編輯Richard Stevenson 表示：“Compound Semiconductor以CS Industry Awards 以及化合物半導體業界之熱烈響應為榮。我們認為表揚業界中的技術成就是很重要的，例如RFMD的PowerSmart。這些類別和產品代表著在晶片制造過程中關鍵的創新領域。”

RFMD近期已開始RFRD6460 PowerSmart功率平臺的量產出貨，以支持Samsung Galaxy S 2系列的3G/4G智能手機和平板設備，以及LG Optimus 3D。 該公司擁有強勢的財力地位，并透過多個申請中的專利支持PowerSmart。

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RF Micro Devices（NASDAQ GS 代碼：RFMD）堪稱在高性能半導體元件的設計與制造方面的全球領先廠商之一。 RFMD 的產品可實現全球移動性，提供更高的連接能力，以及支持蜂窩手機、無線基礎設施、無線局域網 (WLAN)、有線電視網絡/寬帶、航空及國防市場中的高級功能。 RFMD 因其多樣化的半導體技術以及RF 系統專業技能而得到業界的認可，并且是受全球領先移動終端及通訊設備制造商所青睞的供應商。RFMD 總部位于北卡羅來納州、Greensboro，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 認證的制造商。RFMD 在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為 RFMD。有關更多信息，請訪問 RFMD 網站：www.rfmd.com。