近期，由中科院微電子所硅器件與集成技術研究室(一室)朱陽軍副研究員帶領的IGBT團隊在1700V IGBT研制方面取得了突破性進展。

　　該團隊此次研制的1700V trench NPT IGBT產品經過首輪流片靜態參數基本達標，其中阻斷電壓達1800V以上，飽和壓降2.8V；動態參數優良，其中最關鍵的下降時間tf在130ns左右，優于國外多個廠家同類產品的300ns；5月4日本批產品又通過了168小時HTRB(高溫反偏老煉試驗)可靠性摸底試驗。綜合來看，該批產品在性能上已達到國際先進水平，優于國外多個廠家的同類產品。

　　本次產品的開發是微電子所首次涉足1700V高壓IGBT研制，采用了完全自主設計的終端(2種)和元胞(9種)結構。制造工藝基于國內華虹NEC8吋線，由微電子所負責工藝設計，工藝線進行單項工藝模塊開發。標志著IGBT工藝從設計研制到工藝開發的貫通又上了一個新的臺階。

　　微電子所IGBT產品研制在所領導和室領導的關懷幫助下發展順利，研究團隊不斷發展壯大，在近一年的時間內，取得了階段性的成績。項目組先后承擔了國家重大科技專項，中科院院重要方向性項目，中科院“創新2020”首批支撐服務國家戰略性新興產業科技行動計劃專項，院地合作專項等一系列科研項目。產品開發方面已形成了1200V系列8款，即將形成1700V系列4款等芯片/器件/模塊產品;并已設計完成6500V IGBT器件和工藝，1200V & 1700V FRD器件和工藝等，正轉入流片階段。IGBT團隊將以更加團結飽滿的熱情、科學嚴謹的宗旨投入到新的產品的研制開發中。