日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，已確保了其針對第二代超高效率功率放大器系列的參考設(shè)計方案的成功。該新參考設(shè)計方案主要針對高度集成的多模式、多頻段 3G/LTE 解決方案。

　　RFMD 蜂窩產(chǎn)品組 (CPG) 總裁 Eric Creviston 說：“我們非常高興能夠擴展我們與這個頂級芯片供應(yīng)商的關(guān)系，其設(shè)計包含了我們的超高效率 3G/4G 功率放大器。RFMD 正為我們的共同客戶提供高性能 3G/4G 交換器及其相關(guān)方面系列產(chǎn)品支持，我們期待我們對 3G 和 LTE 參考設(shè)計的參與程度的增加能為我們帶來增量增長機會。”

　　通過延長電池壽命和降低智能手機中數(shù)據(jù)使用的熱影響，RFMD 的第二代超高效率 3G 和 4G LTE 功率放大器可提供更佳的用戶體驗。該產(chǎn)品系列目前覆蓋了 WCDMA 頻帶 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 頻帶 4、7、11、13、17、18、20 和 21，因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 頻帶和頻帶組合。在 2012 年上半年，我們還將推出其他多模式、多頻段 (MMMB) 和單模式 LTE 的型號。

　　RFMD 可提供用于單模和整合式架構(gòu)的廣泛 3G 和 4G LTE 解決方案，以確保與領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的一致性及實現(xiàn)全球網(wǎng)絡(luò)兼容。RFMD 的 3G 和 4G LTE 產(chǎn)品系列可降低智能手機中數(shù)據(jù)使用的熱影響，同時能在網(wǎng)上沖浪、視頻電話和互聯(lián)網(wǎng)無線電服務(wù)等基于數(shù)據(jù)的應(yīng)用中實現(xiàn)更長的電池使用時間。