“中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性科技先導(dǎo)專項(xiàng)ADS注入器I Spoke超導(dǎo)腔功率輸入耦合器”的測(cè)試會(huì)和驗(yàn)收會(huì)分別于1月23日和25日在高能物理研究所召開(kāi)。由高能所負(fù)責(zé)研制的射頻頻率325MHz的功率輸入耦合器通過(guò)了專家組的測(cè)試和驗(yàn)收。

1月23日，測(cè)試專家組對(duì)該項(xiàng)目的測(cè)試方法、測(cè)試儀器進(jìn)行了討論和認(rèn)定，對(duì)Spoke腔高功率輸入耦合器進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。1月25日，驗(yàn)收專家組聽(tīng)取了課題組做的驗(yàn)收?qǐng)?bào)告，聽(tīng)取了測(cè)試專家組做的測(cè)試報(bào)告，并進(jìn)行了詳細(xì)的詢問(wèn)和深入的討論。驗(yàn)收專家組認(rèn)為，高能所研制的325MHz Spoke超導(dǎo)腔高功率輸入耦合器是ADS注入器I的關(guān)鍵設(shè)備之一，經(jīng)過(guò)測(cè)試和老練，功率達(dá)到了10kW以上，真空漏率為5.1×10^-10mbar.L/s，達(dá)到了ADS 注入器I的Spoke超導(dǎo)腔功率輸入耦合器的設(shè)計(jì)要求，可以投入實(shí)際使用。專家認(rèn)為，該耦合器的成功研制填補(bǔ)了這一頻段功率耦合器的國(guó)內(nèi)空白，功率水平目前為國(guó)際上同類超導(dǎo)腔功率輸入耦合器最高。

在該功率耦合器的研制過(guò)程中，課題組克服困難，結(jié)合國(guó)內(nèi)現(xiàn)有工業(yè)水平，解決了窗體真空釬焊、內(nèi)導(dǎo)體電子束焊、瓷片鍍TiN膜及外導(dǎo)體內(nèi)表面鍍銅等關(guān)鍵工藝技術(shù)難題。