適用于超高速率LTE的SMARTi LU 和超低端3G終端的SMARTi UEmicro

近日，英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，其研發的第二代用于LTE（Long-Term-Evolution）設備的射頻發射器件SMARTi LU已可以向客戶提供樣片。SMARTi LU作為一顆采用65nm技術CMOS工藝的單芯片射頻發射器件，能夠全面滿足2G/3G/LTE各項射頻功能，其配置的DigRF數字接口能夠與基帶芯片直接連接，以充分達到LTE網絡所要求的最高150兆比特每秒的網絡傳輸速率。

與此同時，英飛凌在其久負盛名的3G射頻發射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新產品：SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro為超低端3G終端進行了專門的產品優化，采用該器件后，雙波段WCAMA/EDGE終端設備的電子射頻器件成本可以降低到6.50美元之下。這與目前市場上現有方案相比，成本上有超過40%的下降。

英飛凌無線通訊事業部副總裁兼射頻終端業務部總經理Stefan Wolff先生進一步指出：“通過全球首顆單芯片2G/3G/LTE射頻發射器件SMARTi LU的開發成功，英飛凌再次向世人展示了我們在高性能、多模式射頻發射器件

解決方案領域中所占據的領導地位。英飛凌不僅在LTE射頻領域持續保持著技術創新領導者的地位。同時，英飛凌也致力于通過不斷減少外圍元器件數量和系統成本的降低，以充分滿足廣大人民群眾對超低端3G手機的需求。而這次推出的SMARTiUEmicro正是順應這一方向開發出的產品，必將為新興市場全面鋪開3G商用化網絡提供強有力的支持。”

SMARTi™ LU

SMARTi LU是一顆符合3GPP Rel.7和Rel.8規范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射頻發射器件。這顆芯片在支持四波段GSM/EDGE的同時，還可以同時支持六個3G和LTE波段。在該芯片豐富的功能列表中，包括LTE FDD class 5（下行速率最大可達150兆比特每秒，上行速率最大可達50兆比特每秒）、MIMO Rx diversity（兩個下行 + 一個上行）、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。該芯片如此廣泛的射頻波段支持能力，使其能夠極好地與全球HSPA/LTE網絡無縫配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4標準的數字基帶芯片接口，為手機系統設計“全數字化”樹立了一個新的里程碑，使得基帶芯片設計向進一步集成化、向32nm或更精密半導體技術前進提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半導體生產廠商共同遵循的65nm生產工藝，樣片和性能測試報告計劃在今年巴塞羅那全球無線大會上全面展示。

SMARTi™ UEmicro

SMARTi UEmicro是為配合低端3G手機需求設計的一顆CMOS工藝、單芯片、同時支持2G/3G網絡的射頻發射器件。該芯片是英飛凌已被市場廣泛驗證的射頻發射器件SMARTi UE的低成本后續產品。通過遵循DigRF v3.09基帶芯片通訊接口，該器件在軟件和硬件上都達到了先后兼容性。通過減少外接低噪聲放大器（LNAs）和采用無接受濾波器的帶內射頻前端等技術創新，SMARTi UEmicro成為廣大超低端3G手機的首選射頻器件。SMARTi UEmicro以其無比優異的射頻性能，在支持雙波段或四波段GSM/EDGE和最多三個WCDMA波段時，達到了系統成本最優化。從2009年二季度開始，客戶即可從英飛凌獲得SMARTi UEmicro的樣片。預計在2009年底，采用該芯片的客戶將開始大規模批量生產。