低噪放大器和功率放大器針對無線宏小區、中繼站和家庭基站的關鍵性能部分

飛思卡爾半導體日前憑借推出專為無線網絡應用的宏基站、中繼站和家庭基站的高性能而設計和優化的四款新器件，進入砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）市場。

這些器件適合低噪放大器和發射功率放大器 – 它們是無線基礎設備的兩個基本組成部分，對它們來說，極高射頻性能是至關重要的。此外，這些器件還專為低功耗而設計，從而提供優化的能效和長期可靠性。

飛思卡爾是用于無線基站的硅片射頻LDMOS功率晶體管方面的全球領導者，它擁有大量有關GaAs的專利，是首批開發基于GaAs技術器件的公司之一。飛思卡爾不斷發展的通用放大器（GPAs）系列基于InGaP異質結雙極晶體管（HBTs）和GaAs異質結場效應晶體管（HFETs），該系列包括大量的射頻和微波應用。

飛思卡爾副總裁兼射頻部總經理Gavin P. Woods表示：“飛思卡爾的高性能MMIC器件為需要高性能的應用，如3G和4G蜂窩式基站、中繼站和家庭基站等，提供綜合的射頻有效解決方案。 在質量和可靠性方面，我們開發出與先進的LDMOS RF技術有相同標準的新款MMIC產品。此外，我們的GaAs MMIC提供軟硬件工具，爭取以最小成本獲取最佳性能。”

MML09211H是增強型模式pHEMT MMIC的低噪放大器，非常適合從865 – 960 MHz頻段的W-CDMA基站到728 - 768 MHz頻段中當前正在實施的高數據速率的網絡應用。該器件還提供特別低噪數0.6 dB，包括電路損耗，并支持從400至1400 MHz的運行。小信號增益在900 MH時為20 dB，P1dB輸出功率為21 dBm，隔離為 -35 dB，以及三階輸出攔截點（IP3）在900 MHz時為32 dBm。

MMA20312B是一個2階InGaP HBT功率放大器，專為無線基站、中繼站和家庭基站的使用而設計。尤其是，對于家庭基站來說，該器件實現了高能效，同時符合線性要求。放大器范圍從1800到2200 MHz，在2140 MHz時提供的P1dB輸出功率為31 dBm，小信號增益為26 dB。

同樣，其他兩個新寬帶MMIC放大器適合用作發射鏈中的驅動器放大器或者接收鏈中二階低噪放大器。它們展示出具有比典型HBT解決方案更低的電流消耗的出色線性。MMG15241H是一個覆蓋500至2800 MHz的pHEMT器件，噪音數在2140 MHz時為1.6 dB， P1dB輸出功率為24 dBm，IP3為39 dBm，以及小信號增益為15 dB。MMG20271H低噪放大器覆蓋1500至2400 MHz頻率，噪音數在2140 MHz時為1.8 dB， P1dB輸出功率為27 dBm，IP3為42 dBm，以及小信號增益為15 dB。

為了與新的MMIC互補，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和 MMG3006NT1 GPA推出了應用板卡和射頻特征數據。板卡和數據展示了實際基站發射器器件系列的MMIC功能。最新的數據顯示，這些器件的電流消耗可比產品介紹中最初條件下的消耗減少幾乎50%，幾乎沒有任何線性損失。

新款MMIC是目前正在開發的很多規劃的飛思卡爾MMIC器件中的第一批產品，涵蓋熱門的無線頻段和應用。

定價和供貨情況
飛思卡爾的四個新款MMIC器件計劃2010年6月限量打樣，2010年8月進行大量樣品供應。規劃的產品支持包括參考設計和設計者的其他支持工具。如需樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體本地銷售辦事處或授權經銷商聯系。

關于飛思卡爾半導體
飛思卡爾半導體是全球領先的半導體公司，為汽車、消費、工業、網絡市場設計并制造嵌入式半導體產品。這家私營企業總部位于德州奧斯汀，在全球擁有設計、研發、制造和銷售機構。如需了解其它信息，請訪問www.freescale.com.