近日國內領先的移動通信終端芯片解決方案及終端設備提供商創(chuàng)毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工藝 WarpDrive 5000芯片。該款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模，采用40納米工藝，兼容3GPP LTE 標準 (Release-9)，采用超低功耗設計，支持多種上下行配比及同頻、異頻測量和切換，支持CAT4速率等級，下行高達150Mbps，值得一提的是該款產(chǎn)品是全球第一款支持先進的雙流波束賦形TM8傳輸技術的芯片。

    早在2007 年創(chuàng)毅就啟動了TD-LTE 終端基帶芯片研發(fā)項目。2010 年4 月創(chuàng)毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數(shù)據(jù)卡，并服務于2010 年上海世博會。2011年5月創(chuàng)毅入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE 規(guī)模技術試驗網(wǎng)測試及建設，并在廣州，杭州，廈門，南京，深圳，與多家系統(tǒng)廠商展開測試。同時在GCF認證測試中與羅德，安奈特等國際廠商取得業(yè)內領先的技術成果，并在深圳大運會中配合系統(tǒng)廠商成功展開4G業(yè)務演示。

    目前創(chuàng)毅視訊已經(jīng)三次流片成功TD-LTE芯片，并通過中移動研究院及工信部電信研究院的各項測試，成為國內LTE芯片廠商的領跑者。

    隨著商用化進程的加速，TD-LTE得到國際上廣泛支持，將在印度，日本，俄羅斯，沙特等國家順利開展，目前全球已有超過200家運營商明確了LTE商用戰(zhàn)略，今年年底之前，將有73個LTE網(wǎng)絡進入試商用階段，LTE終端種類也已達到100款之多，涵蓋數(shù)據(jù)卡、平板電腦,智能手機等。