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科銳推出芯片型碳化硅功率器件

2011-12-19 來源：微波射頻網(wǎng) 字號：大中小

　　碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。

　　功率模組通常將MOSFET和二極管等一系列分立功率開關(guān)器件封裝在一個獨立的集成封裝內(nèi)，可應用于三相工業(yè)電源、通訊電源系統(tǒng)以及太陽能和風能系統(tǒng)中功率逆變器等高壓電力電子應用領(lǐng)域。在傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)中，長引線中的寄生電感會限制碳化硅MOSFET的轉(zhuǎn)換性能。通過使用科銳替代型裸芯片，電路設計人員能夠充分利用碳化硅技術(shù)轉(zhuǎn)換性能的優(yōu)勢，有效地降低封裝中寄生電感的影響。

　　科銳副總裁兼功率和射頻(RF)產(chǎn)品研發(fā)部門總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“隨著全面符合標準的碳化硅MOSFET作為未封裝芯片的運用，電源模組制造商能夠充分了解到碳化硅器件的性能優(yōu)勢 - 實現(xiàn)更好的高溫操作條件，更高的開關(guān)頻率以及更低的開關(guān)損耗，并且能夠擺脫傳統(tǒng)分立器件塑料封裝所帶來的局限。電力電子模組中碳化硅功率器件的設計優(yōu)勢在于能夠以更少的器件實現(xiàn)更高的電流和電壓，從而實現(xiàn)最大功率密度以及更高的可靠性?！?/DIV>

　　Balkas同時表示：“電源模組制造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結(jié)合，創(chuàng)造一個專為超高功效電力電子系統(tǒng)而設計的‘全碳化硅’模組。這些新型模組能夠充分體現(xiàn)碳化硅材料優(yōu)勢，可實現(xiàn)零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關(guān)、低電磁干擾下高頻運行，以及更高電子雪崩能力，其開關(guān)頻率較傳統(tǒng)以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高開關(guān)頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統(tǒng)體積、降低重量和成本?！?/DIV>

　　科銳新型MOSFET系列功率器件目前已發(fā)布兩個型號CPMF-1200-S080B封裝尺寸為4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為80 mΩ;CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為160 mΩ。兩款器件的工作結(jié)溫均為-55 °C至+135 °C。

　　科銳兩款1200V MOSFET裸芯片已經(jīng)發(fā)布并能夠量產(chǎn)使用，客戶可通過科銳以及科銳無線射頻(RF)代理商Semi Dice了解器件的供貨情況?？其J已發(fā)布產(chǎn)品說明以及包括對芯片鍵合等詳細的設計指導建議，以幫助電源模組制造商使用新器件并優(yōu)化設計。同時，科銳十分愿意為客戶提供碳化硅MOSFET器件模型以幫助其進行初期模擬仿真及評估。

　　在過去20多年中，科銳一直是碳化硅 MOSFET領(lǐng)域公認的領(lǐng)先者，擁有超過50項碳化硅MOSFET技術(shù)專利，同時還有多項專利正在申請中。