轉換功率用的空間節約型器件以及負載開關提升了恩智浦超小型低導通電阻RDS(on) DFN MOSFET產品的組合
中國上海，2012年6月14日訊——恩智浦半導體（納斯達克代碼：NXPI）推出業內首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。
即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN 30V N溝道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A，10V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12mOhm（典型值）和16.5mOhm（典型值），因此導通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。
新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米，比當今市場上大多數2mmx2mm的產品更加輕薄，是智能手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關、電源轉換器和充電開關的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應用，其中包括直流電機、服務器和網絡通信以及LED照明，在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一，提供與其相當的熱阻，能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3mmx3mm封裝或TSSOP8封裝。
新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產品線，截止到今年年末將有超過60種封裝，封裝尺寸為2mmx2mm或1mmx0.6mm。如今，恩智浦是超小型低導通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產商，提供電平場效應晶體管(FET)和雙極晶體管技術。
關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構，2011年公司營業額達到42億美元。
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