三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產品與工業設備對應用SiC材料的新一代SBD※2和MOSFET※3等功率半導體的需要。這些產品有助于使得應用逆變器的家電產品和工業設備更高效化、小型化、輕量化。
本產品將在“TECHNO-FRONTIER 2012 -Power System Japan 2012-”(7月11日～13日于日本東京Big Sight舉行)上展出。
1、Silicon Carbide：碳化硅
2、Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管
3、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET金屬氧化膜半導體場效應晶體管
4、DIPIPM：壓注模型雙列直插智能功率模塊
5、DIPPFC：內置功率因數校正電路的壓注模封裝智能功率模塊
6、Power Factor Correction：功率因數校正
7、IPM L1系列 型號：PM75CL1A120
8、IGBT模塊 型號：CM400DY-24NF兩片并聯
家電用SiC DIPIPM/DIPPFC
工業用混合SiC-IPM
工業用全SiC模塊
概要
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用途 |
產品名 |
概要 |
樣品
開始提供日期 |
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家電
產品 |
混合SiC DIPIPM※4 |
600V/15A 6in1 |
2012年7月31日 |
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混合SiC DIPPFC※5 |
600V/20Arms 交錯式 |
2012年8月 | |
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全SiC DIPPFC |
600V/20Arms 交錯式 |
2012年8月 | |
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工業
設備 |
混合SiC-IPM |
1200V/75A 6in1 |
2012年10月 |
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全SiC模塊 |
1200V/800A 2in1 |
2013年1月 |
提供樣品的目的
近幾年，為有效利用能源并降低損耗，從空調、冰箱等家電產品，到普通的工業設備，都在廣泛應用逆變技術。盡管三菱電機已經為客戶大量提供低損耗的逆變器用功率半導體模塊,但是SiC能夠顯著降低損耗，并提升器件的開關速度，而且使得設備系統更加高效化和小型化。
此次三菱電機開發了采用SiC材料的SBD和MOSFET的功率半導體模塊，并開始提供5個品種的樣品。其中，3個品種適用于空調等家電產品；另2個品種適用于通用變頻器和伺服等工業設備。
特點：
1.用于家電產品的SiC功率半導體模塊
1-1混合SiC DIPIPM
・應用SiC-SBD二極管
・與Si器件相比，損耗降低約12%
・與既有“超小型DIPIPM”的引腳排列與外形尺寸兼容
・與既有“超小型DIPIPM”的保護功能相同
1-2混合SiC DIPPFC
・應用SiC-SBD二極管，開關頻率最高可達30kHz
・器件的高頻化，有助于電抗器和散熱器等外圍配件的小型化
・與既有“超小型DIPIPM”外形尺寸兼容
1-3全SiC DIPPFC
・應用SiC-MOSFET晶體管和SiC-SBD二極管
・與Si器件相比，損耗降低約45％
・開關頻率最高可達50kHz
・器件的高頻化，有助于電抗器和散熱器等外圍配件的小型化
・內置PFC，有助于減少安裝面積及簡化PCB布線，使得系統小型化
・與既有“超小型DIPIPM”外形尺寸兼容
2．用于工業設備的SiC功率半導體模塊
2-1混合SiC-IPM
・應用SiC-SBD二極管
・與既有產品※7相比，損耗降低約25％，有助于設備的小型化好和高效化
・與既有產品※7引腳排列與外形尺寸兼容
・與既有產品※7的保護功能相同
2-2全SiC模塊
・應用SiC-MOSFET晶體管和SiC-SBD二極管
・與既有產品※8相比，損耗降低約70％，有助于裝置的高效化
・與既有產品※8相比，封裝大幅度減小，安裝面積減少約60％，有助于裝置的小型化與輕型化
・低電感封裝，充分發揮SiC性能
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