[據(jù)全球新聞資訊網(wǎng)站2012年11月1日報道]諾斯羅普•格魯門公司已開發(fā)出了一條氮化鎵（GaN）單片微波集成電路（MMIC）生產(chǎn)線，滿足軍事和商業(yè)需求。這些器件代表了公司具備了氮化鎵基元件的商業(yè)化能力。

諾•格公司正在對3種氮化鎵MMIC產(chǎn)品進行初步工程評估采樣。諾•格公司航空系統(tǒng)微電子產(chǎn)品和服務（MPS）部門總經(jīng)理弗蘭克科勒斯科特說，這些產(chǎn)品將應用到國防和商業(yè)衛(wèi)星地面通信終端市場和商用無線基礎設施市場。

這3種MMIC產(chǎn)品的性能特點：

（1）APN149 GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）MMIC功率放大器芯片：運行頻率18~23GHz，在1 dB增益壓縮時提供20 dB線性增益，+36 dBm（4W）輸出功率，飽和輸出功率為+38 dBm（6.3 W），功率附加效率（PAE）大于30％。

（2）APN180 GaN HEMT MMIC功率放大器芯片：運行頻率27~31 GHz，在1 dB增益壓縮時提供21dB線性增益，+38 dBm（6.3W）輸出功率，飽和輸出功率為+39 dBm（8 W），中頻功率附加效率30％。對于要求不高的應用，APN180可以運行+20 V漏極電壓，同時產(chǎn)生+37 dBm（5 W）飽和輸出功率。

（3）APN167 GaN HEMT MMIC功率放大器芯片：運行頻率43~46 GHz，在1 dB增益壓縮時提供20dB線性增益，+35.5 dBm（3.5W）輸出功率，飽和輸出功率為+38.5 dBm（7W），中頻功率附加效率19％。

科勒斯科特指出，諾•格公司計劃在未來數(shù)月內(nèi)將首批產(chǎn)品推向市場。這一系列產(chǎn)品將采用是諾•格公司的0.2微米GaN HEMT工藝，根據(jù)DARPA射頻應用寬禁帶半導體計劃（WBGS-RF）研發(fā)。DARPA在2002年授予諾•格公司首個GaN關鍵技術開發(fā)合同。GaN器件也是諾•格團隊最近推出的低成本終端的關鍵組成部分。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所陳皓）

（本文來源：中國國防科技信息網(wǎng)）