富士通實驗室有限公司于日前宣布，已開發出基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的毫米波收發器模塊，輸出功率可達10W，工作頻率可達毫米波波段。

迄今為止，開發工作在毫米波波段的高輸出功率模塊需要模塊包含數個獨立封裝的器件，以保證足夠的散熱能力。因此，模塊體積難以縮小。此外，由于信號損失，模塊內部的連接端子需工作在更高的頻率，為器件整體工作在毫米波帶來了挑戰。

富士通實驗室新開發的高輸出功率毫米波收發器模塊使用多層陶瓷嵌入式熱沉技術，可保證有效散熱。此外，通過獨特的架構可減少內部終端連接器件出現的信號損失，保證收發機工作在毫米波波段。新模塊尺寸僅為12mm×36mm×3.3mm，還不到傳統模塊尺寸的1/20。

該新技術使得在單個產品內可包含多個芯片，因此可用于研發更緊湊的雷達器件和無線通信設備。

富士通實驗室公司計劃將該技術用于更廣泛需要緊湊模塊、高輸出、寬帶寬的應用中，包括無線設備和雷達系統。

新技術的詳細信息于美國西雅圖舉辦的IMS2013期間公布。

圖1. 毫米波波段的應用場景

圖2.毫米波氮化鎵（GaN）收發器模塊圖表

圖3.毫米波氮化鎵（GaN）收發器模塊照片及結構