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Diodes推出肖特基二極管 實現雙倍功率密度

2013-07-17 來源:微波射頻網 字號:

Diodes推出首款采用了晶圓級芯片尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管,為智能型手機及平板計算機的設計提供除微型DFN0603組件以外的另一選擇。新組件能夠以同樣的電路板占位面積,實現雙倍功率密度。

全新30伏特(V)及0.2安培(A)SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤封裝,熱阻僅為261oC/瓦(W),比DFN0603封裝低約一半,有效把開關、反向阻斷和整流電路的功耗減半。

SDM0230CSP的占位面積為0.18mm2,比采用了行業標準的DFN1006及SOD923封裝的肖特基二極管節省電路板面積達70%,非常適合高密度的設計。此外,該組件的離板厚度為0.3mm,相對于其他二極管纖薄25%,有利于超薄可攜式產品設計。

這款肖特基二極管的最大正向電壓十分低,于0.2A正向電流時僅為0.5V,加上在30V反向電壓的情況下,漏電流一般低至1.5mA,能夠把功耗減到最少,從而延長電池壽命。

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