美國高通公司（NASDAQ: QCOM）近日宣布，其全資子公司美國高通技術公司與中興通訊合作，推出全球首款集成CMOS功率放大器（PA）和天線開關的多模多頻段芯片，并首先應用在中興通訊全新旗艦智能手機Grand S II LTE上。

美國高通技術公司QFE2320 和QFE2340芯片的成功商用標志著移動射頻前端技術的一個重大進展，兩款芯片借助簡化的走線和行業尺寸最小的功率放大器和天線開關，在集成電路上實現前所未有的功能。集成天線開關的QFE2320多模多頻功率放大器（MMMB PA）和集成收發器模式開關的QFE2340高頻段MMMB PA，以及首款用于3G/4G LTE移動終端的包絡追蹤（ET）芯片QFE1100，都是Qualcomm RF360前端解決方案的關鍵組件，支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網絡的單一多模設計。QFE2320和QFE2340的組合能夠覆蓋所有主要的蜂窩模式，包括LTE TDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA 1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE，以及從700MHz到2700MHz的相關射頻頻段。QFE1100目前已經在全球很多商用智能手機中采用，也將應用于中興Grand S II LTE。

美國高通技術公司產品管理副總裁Alex Katouzian 表示："我們的集成功率放大器和天線開關以及高頻段功率放大器在中興Grand S II LTE手機上得到采用，是RF360前端解決方案實施過程中一個令人興奮的進展。消費者和OEM廠商都將從這些創新的射頻解決方案中受益，它們實現了更小的尺寸和更高的能效，并支持全球漫游的LTE終端。"

中興通訊對外合作副總裁兼全球高端技術團隊負責人王眾博士表示："美國高通技術公司的射頻芯片組具有卓越的性能和效率，讓我們能夠設計功耗更低且外形更時尚的終端，并能夠連接到全球最快的網絡上。我們很高興在Grand S II LTE上采用美國高通技術公司最新RF360前端解決方案中的兩款產品，以及高通驍龍800處理器和WTR1625收發器，實現同級最佳的LTE連接和卓越用戶體驗。"

QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工藝，能夠將各組件更緊密地集成在單一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天線開關，能夠簡化走線，減少前端中的射頻組件數量，滿足更小的印刷電路板（PCB）面積要求--所有這些都支持OEM廠商能夠以更低的成本打造尺寸更小的終端設計，支持連接到全球主要2G、3G和4G LTE網絡所需的廣泛射頻頻段。QFE2340高頻段MMMB PA集成收發器模式開關，提供全球首款商用LTE晶片級納米規模封裝（WL NSP）MMMB PA，首次向移動行業引入創新的LTE TDD 射頻前端架構。

QFE2320和QFE2340目前正向OEM廠商出貨，預計今年將在全球更多領先的智能手機上應用。Qualcomm RF360解決方案中還包括首款用于3G/4G LTE終端的包絡追蹤芯片QFE1100和可配置天線匹配調諧芯片QFE1510，這兩款芯片已經在2013年實現商用。