高性能射頻、微波和毫米波產品的領先供應商美國M/A-COM技術解決方案有限公司日前宣布，推出民用和軍事雷達脈沖應用的碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）脈沖功率晶體管MAGX-000035-015000和MAGX-000035-01500S。

MAGX-000035-015000和MAGX-000035-01500S是采用金進行了金屬化處理的SiC基GaN射頻功率晶體管，滿足各種射頻功率放大器的應用。該晶體管提供典型的17W峰值輸出功率、15.5dB功率增益和63%的效能。這些高性能晶體管采用最先進的芯片制造工藝，并提供高增益、高效能、高帶寬，以及多個倍頻程帶寬的耐用性，滿足苛刻的應用需求。

“該款新的15W峰值GaN功率晶體管在寬頻率范圍內提供了脈沖式驅動器和功率應用領域通用的和高性能的解決方案。”MACOM公司產品經理Paul Beasly表示，“在L波段和S波段脈沖雷達應用領域，該器件可以作為MACOM公司更高功率GaN晶體管的理想驅動級。”

該晶體管工作在直流到3.5GHz的頻率范圍，具有高擊穿電壓和600年的平均無故障時間（MTTF）。該器件采用增強型帶凸緣（Cu/W）和無凸緣（Cu）陶瓷封裝，具有出色的散熱性能。

MAGX-000035-015000和MAGX-000035-01500S脈沖功率晶體管現可供樣。