雙路增強型120 V、60 m?氮化鎵集成電路（EPC2110）可實現超高頻開關，從而推動采用E類放大器拓撲的無線電源傳送應用實現優(yōu)越性能。

宜普電源轉換公司推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。

EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極器件，它采用非常纖薄的封裝（1.35 mm x 1.35 mm），于柵極施加5 V電壓時的最高RDS(on) 為60 m?。由于EPC2110具備超高開關頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及采用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。

與最先進、具相同的導通電阻的功率MOSFET相比，EPC2110細小很多， 而且它的開關性能比MOSFET高出很多倍。受惠于這種高性能eGaN® IC的應用包括超高頻DC/DC轉換、同步整流、D類音頻放大器及尤其是無線電源傳送應用。

EPC2110在批量為一千片時的單價為1.06美元,可立即透過Digikey公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括直流- 直流轉換器、 無線電源傳送、 包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術（LiDAR） 及D類音頻放大器 等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址為www.epc-co.com.cn 。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。