IQE已經確認提供商用100mm的SiC基GaN外延晶圓。使用該晶圓所生產的晶體管器件，得到了破紀錄的高增益和高功率密度，并首次使工作于0 - 40 GHz頻率范圍內的有效高壓/高功率寬帶柔性單片微波集成電路（MMIC）設計成功。

40GHz高頻微波功能（也被稱為Ka波段）是衛(wèi)星通信必不可少的，對下一代（5G）無線通信也越來越重要的。但目前，設計師們還無法使器件同時實現高頻率與高功率密度。

IQE的這項突破性研究結果發(fā)表在IEEE電子器件快報上，題目為“高功率密度X波段AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）在毫米波單片微波集成電路的實現”。

該論文中提到，通過實施0.14µm柵長GaN MMIC工藝將兩種不同的器件合并在一起，使其能同時在高效Ka波段和高功率密度波段工作。作者在一個標準的4×65微米T型場效應管及一個4 x 75微米T型場效應管上分別取得了7.7 W / mm、35 GHz、VDS = 30 V和12.5 W / mm、10 GHz、VDS = 60 V的測試結果。這是在一個單一的寬帶GaN MMIC工藝上同時實現X波段和Ka波段的最高功率密度。

這些外延晶圓是IQE公司新澤西工廠使用MOCVD設備在4英寸半絕緣SiC襯底上制作完成的。

美國空軍研究實驗室傳感器局航空航天組件事業(yè)部從IQE購買SiC基GaN外延晶圓制備出HEMT器件。

IQE電力業(yè)務副總裁韋恩約翰遜表示，這些GaN-on-SiC晶圓的研制成功證明了IQE具有破紀錄的產生能力，是世界領先的商業(yè)平臺，同時該項成果對當今先進的衛(wèi)星通信和下一代無線技術至關重要。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所 張慧）