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摩爾飛思將在CES2016推出超小全集成CMOS手機射頻前端系列

2015-12-17 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

Morfis Semiconductor的系列產(chǎn)品滿足并超越砷化鎵的性能水平,無需封包追蹤(ET)

經(jīng)過兩年的反復開發(fā)和測試,Morfis Semiconductor(摩爾飛思半導體)已準備好華麗起航,將在CES 2016上推出全球最小的全集成CMOS單芯片、單模倒裝芯片手機射頻前端解決方案系列。

Morfis Semiconductor的單模CMOS架構支持手機產(chǎn)業(yè)全部的2G/3G/4G LTE頻段,不會犧牲效率或線性。

在CES 2016上,Morfis將展示其最新突破性技術并演示其改變行業(yè)格局的全集成CMOS MMMB PA和RF前端,該前端基于其獨家擁有的專利技術。

公司即日起面向早期試用客戶提供樣品,批量生產(chǎn)計劃于2016年第二季度啟動。

關于Morfis Semiconductor, Inc.

Morfis Semiconductor總部位于加州爾灣,是一家開發(fā)全集成、單芯片、單模射頻前端解決方案的領先無晶圓廠半導體公司。

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