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Peregrine推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器

2016-05-09 來(lái)源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

Peregrine Semiconductor(派更半導(dǎo)體公司)近日展示兩款采用UltraCMOS®技術(shù)且適用于Doherty放大器的單片相位和振幅控制器(MPAC)——PE46130和PE46140。這兩款產(chǎn)品與PE46120均可為Doherty功率放大器提供最大的相位調(diào)諧靈活性。PE46120、PE46130 和PE46140這三款引腳兼容產(chǎn)品均適用于頻率在1.8-3.8 GHz這一范圍內(nèi)的Doherty功率放大器。

Peregrine推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器

派更半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)Kinana Hussain表示:“相位和振幅控制對(duì)未來(lái)通信技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要,從LTE和5G技術(shù)到雷達(dá)技術(shù),它們均依賴有效的數(shù)據(jù)交換。派更半導(dǎo)體的MPAC將支持通信技術(shù)未來(lái)的發(fā)展。派更半導(dǎo)體今天新推出了兩款集成型產(chǎn)品,這僅僅是一個(gè)開始。公司即將推出的MPAC系列產(chǎn)品將支持波束形成、全雙工無(wú)線通信以及5G應(yīng)用等多種功能。此外,整個(gè)MPAC產(chǎn)品組合將繼續(xù)展現(xiàn)派更半導(dǎo)體UltraCMOS技術(shù)的智能集成能力。”

由于PE46130和PE46140是基于UltraCMOS技術(shù)而開發(fā),它們具備的智能集成優(yōu)勢(shì)(如穩(wěn)定性好、靈活性高、支持小型封裝、可配置性強(qiáng)、系統(tǒng)性能更高等)是砷化鎵(GaA)解決方案無(wú)法比擬的。每款MPAC均無(wú)需使用分離元器件,集成了一個(gè)90度射頻分離器、多個(gè)5位數(shù)字式移相器、一個(gè)4位數(shù)字式步進(jìn)衰減器以及一個(gè)數(shù)字式串行外設(shè)接口。

PE46130和PE46140是用于優(yōu)化基于氮化鎵的Doherty功率放大器的理想之選,Doherty功率放大器通常在較高頻率下工作。低頻Doherty功率放大器通常基于橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)研制而成,因?yàn)樵陬l率低于2.0GHz時(shí)LDMOS具有效率和成本優(yōu)勢(shì)。然而,在較高頻率下,這一效率優(yōu)勢(shì)不復(fù)存在,而基于氮化鎵的Doherty功率放大器不僅性能較為穩(wěn)定,而且還能滿足大功率密度需求。采用了UltraCMOS技術(shù)的PE46130適用于2.3-2.7GHz這一頻率范圍,而PE46140則適用于3.4-3.8 GHz這一頻率范圍。

雖然在Doherty放大器的架構(gòu)下各組件的成本較高,但PE46130和PE46140可使用高效氮化鎵晶體管,以提高組件的總體效益,進(jìn)而降低材料成本。此外,這些控制器可通過(guò)改善匹配度和提高數(shù)字預(yù)失真回路效率來(lái)增強(qiáng)功率附加效率、整個(gè)頻率范圍內(nèi)的線性度以及Doherty帶寬。這兩款產(chǎn)品能夠提供最大的相位調(diào)諧靈活性,促使收發(fā)器路徑之間的統(tǒng)一性和重復(fù)性,同時(shí)能夠提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。單片控制器可通過(guò)滿足不同現(xiàn)場(chǎng)需求的數(shù)字接口進(jìn)行遠(yuǎn)程編程。得益于這樣的靈活性,工程師可基于運(yùn)營(yíng)和環(huán)境因素對(duì)相位和振幅進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整。

特性、封裝、定價(jià)及供貨

除了支持不同的蜂窩頻段外,PE46130和PE46140的特性和性能優(yōu)勢(shì)都十分相似。這兩款產(chǎn)品的相位范圍為87.2°(步長(zhǎng):2.8°)、衰減范圍為7.5 dB(步長(zhǎng):0.5 dB)。PE46130和PE46140可提供高于60dBm IIP3的高線性度,功耗僅為0.35mA。特別要指出的是,各控制器能夠提供35dBm(P0.1dB)的高功率處理能力以及30dB的較高端到端隔離度。UltraCMOS技術(shù)可確保控制器在所有射頻引腳上能承受至少1kV的靜電放電,運(yùn)營(yíng)溫度范圍擴(kuò)大至+105°C,電源范圍達(dá)到2.3V-5.5V。這些控制器產(chǎn)品均符合《電子電氣設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指令》的相關(guān)要求,并采用32引引腳、6×6 mm QFN封裝方式。

PE46130和PE46140樣本和評(píng)估工具包現(xiàn)已發(fā)布,PE46130現(xiàn)已開始批量生產(chǎn)。對(duì)于PE46130,1000件批量購(gòu)買價(jià)格9.37美元/個(gè),5000件批量購(gòu)買價(jià)格為7.60美元/個(gè),10000件批量購(gòu)買價(jià)格為7.03美元/個(gè)。對(duì)于PE46140,1000件批量購(gòu)買價(jià)格為10.31美元/個(gè),5000件批量購(gòu)買價(jià)格為8.36美元/個(gè),10000件批量購(gòu)買價(jià)格為7.73美元/個(gè)。

特性 PE46120 PE46130 PE46140
頻率范圍 1.8–2.2 GHz 2.3–2.7 GHz 3.4–3.8 GHz
相位范圍/步長(zhǎng) 87.2°/ 2.8°
衰減范圍/步長(zhǎng) 7.5 dB/0.5 dB
高線性度 60dBm IIP3 70dBm IIP3
 
60dBm IIP3
 
高隔離度 30 dB
高功率處理能力 P0.1dB: +35dBm
封裝 32引腳的6x6 mm QFN封裝

關(guān)于派更半導(dǎo)體

派更半導(dǎo)體公司隸屬于日本村田制作所,是射頻絕緣硅(RF SOI)技術(shù)的創(chuàng)始者和領(lǐng)先的高性能集成射頻解決方案供應(yīng)商。自1988年以來(lái),派更半導(dǎo)體及其創(chuàng)始人團(tuán)隊(duì)一直不斷改進(jìn)UltraCMOS®技術(shù)(一種已獲得專利的高級(jí)絕緣硅技術(shù)),從而提供巨大的性能優(yōu)勢(shì),以應(yīng)對(duì)射頻市場(chǎng)中面臨的最大挑戰(zhàn)(如線性度等)。派更半導(dǎo)體的產(chǎn)品能夠提供最佳性能以及實(shí)現(xiàn)單片集成,因此成為汽車、寬帶、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備、智能手機(jī)、空間技術(shù)、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備以及無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施等各行業(yè)中多家領(lǐng)先企業(yè)的首選。自2014年12月年成立至今,派更半導(dǎo)體已申請(qǐng)和待審批的專利已超過(guò)240項(xiàng),已發(fā)售的UltraCMOS設(shè)備超過(guò)35億臺(tái)。

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