全新晶體管在技術改進方面實現了巨大飛躍，
可滿足工作頻率為1805至2690 MHz的宏基站的嚴苛要求。

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）近日推出Airfast第三代產品，首發的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術上達到了新的里程碑，在滿足所有當前無線標準的嚴苛要求的同時，提升了性能指標，具備寬廣的瞬時帶寬，單科器件即可覆蓋整個通信頻段。

恩智浦Airfast 3產品在效率、增益、射頻輸出功率和信號帶寬方面提供行業領先的性能，同時大幅減少了提供給定射頻輸出功率水平所需的尺寸。相比Airfast 2，第三代產品的效率提升了4%（53%的末級效率和高達50%的產品組合效率），熱性能提升了20%，提供高達90 MHz的全信號帶寬并且空間節省高達30%。

恩智浦射頻功率事業部執行副總裁、總經理Paul Hart表示：“減小蜂窩基站的尺寸需要持續改進射頻功率放大器。我們的第三代Airfast解決方案提供行業領先的性能，并且采用推動行業進步所需的封裝尺寸。”

全新Airfast 3高功率LDMOS晶體管

這四款全新Airfast 3 LDMOS射頻功率晶體管設計用于對稱Doherty放大器架構，包括：

· A3T18H450W23S：1805至1880 MHz，89 W平均射頻輸出功率，17.2 dB增益，51%效率
· A3T18H360W23S：1805至1880 MHz，56 W平均射頻輸出功率，17.5 dB增益，53%效率
· A3T21H450W23S：2110至2200 MHz，89 W平均射頻輸出功率，15.5 dB增益，49.5%效率
· A3T26H200W24S：2496至2690 MHz，37 W平均射頻輸出功率，16.3 dB增益，50%效率

這些全新晶體管是首批采用氣腔塑料封裝的Airfast產品，具有出色的射頻性能與較低熱阻，從而減少了系統總散熱量。

上市時間

全新Airfast 3射頻功率晶體管目前提供樣片，預計將于2016年第四季度開始量產。還提供各種頻率的參考電路。

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