致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新系列寬帶塑封和單片微波集成電路(MMIC)器件。新產(chǎn)品擴(kuò)充了不斷增長的高性能寬帶MMIC產(chǎn)品組合，包括四個塑封低噪聲放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一個寬帶功率放大器(PA)芯片MMA053AA;以及兩個塑封開關(guān)MMS006PP3和MMS008PP3。新的MMIC產(chǎn)品已于6月6至8日在作為微波周2017的一部分的夏威夷火奴魯魯IEEE國際微波研討會(IMS2017)上展示。

新封裝的放大器包括兩個新的分布式LNA(MMA040PP5和MMA041PP5)，在從DC至27GHz的更寬頻率的表現(xiàn)優(yōu)于競爭器件，具有17 dB的更高增益，OIP3為35 dBm。這些器件封裝在小型5mm塑料QFN封裝中，是尺寸受限應(yīng)用的理想選擇。另外兩個寬帶LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供從0.5至18GHz的極低噪聲系數(shù)(NF)，典型NF低于2dB，且?guī)Ь壊怀^2.5dB。

與競爭器件相比，兩個新的寬帶GaAs開關(guān)(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了從DC至20GHz較寬頻率范圍的插入損耗和隔離特性。這些器件采用3mm塑料QFN封裝，是滿足尺寸受限應(yīng)用高性能要求的理想選擇。這些器件僅需要最少的片外控制邏輯，可簡化系統(tǒng)級集成。

新發(fā)布的寬帶PA芯片(MMA053AA)從DC至8GHz可保持17dB的平坦增益和35dBm的高OIP3，超過了競爭器件的性能。憑借具有競爭力的定價，客戶可以利用所有這些器件的領(lǐng)先性能，以最小的DC功耗滿足苛刻系統(tǒng)和模塊布局要求。

美高森美射頻/微波分立產(chǎn)品事業(yè)部戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Kevin Harrington表示：“我們推出各種新產(chǎn)品，代表美高森美在加強(qiáng)MMIC產(chǎn)品組合方面的重大投資，同時繼續(xù)滿足客戶的總體要求。我們將繼續(xù)投資并擴(kuò)大尖端MMIC器件產(chǎn)品組合，我們致力于成為一家為客戶提供卓越性能MMIC產(chǎn)品，并且值得長遠(yuǎn)信賴的供應(yīng)商。”

美高森美的新MMIC寬帶LNA、分布式寬帶MMIC功率放大器和寬帶MMIC開關(guān)非常適合航空航天、國防和工業(yè)市場的各種前端信號鏈應(yīng)用，包括測試與測量、電子戰(zhàn)(EW)/電子對抗/電子反對抗、高線性微波無線電和無人駕駛飛行器(UAV)及其他軍事通信應(yīng)用。全球市場研究和咨詢公司Strategy Analytics估計，到2019年，GaAs MMIC在EW、雷達(dá)和微波通信市場的銷售額將達(dá)5億美元。

新MMIC器件的主要特性包括：

作為MMIC產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，美高森美不斷擴(kuò)大其產(chǎn)品組合，覆蓋DC至65 GHz頻率范圍，并瞄準(zhǔn)廣泛的應(yīng)用，包括電子戰(zhàn)、雷達(dá)、測試和測量儀器儀表，以及微波通信。這些新產(chǎn)品建立在高性能寬帶MMIC放大器、控制產(chǎn)品、預(yù)分頻器，以及相位頻率檢測器等不斷增加的產(chǎn)品組合基礎(chǔ)之上，伴隨進(jìn)一步加強(qiáng)美高森美MMIC產(chǎn)品的未來高性能產(chǎn)品開發(fā)計劃，能夠確保客戶滿足非常專門和復(fù)雜的MMIC要求。