使用石墨烯作為透明導電膜最近一直受到熱烈的追捧，很大程度上是因為它提供了一個潛在的氧化銦錫（ITO）的廉價替代物，而氧化銦錫的供應瓶頸似乎迫在眉睫。

還不清楚光伏制造商們是否已有興趣用石墨烯替代透明導電膜。這種缺乏的興趣，在一定程度上可能是缺少對連接硅時石墨烯是否保持高載流子遷移率吸引特性的研究結果。

現在，德國亥姆霍茲中心柏林(HZB)研究所的研究人員表明，即使與硅配對，石墨烯仍不失去其令人印象深刻的導電特性。

“我們研究了石墨烯合成到若干層類似于硅基薄膜太陽能電池后，導電特性的變化。驚奇地發現，這些屬性其實變化不大，”HZB硅光電研究院的Marc Gluba在一份新聞稿中稱。

這項研究發表在《應用物理快報》上（“嵌入石墨烯進行大面積硅基設備”），通過化學氣相沉積在一個銅片上生長石墨烯，接著轉移到玻璃襯底上，然后覆蓋一層很薄的硅。

研究人員采用兩種薄膜技術中常用的不同形式的硅：非晶硅和多晶硅。在這兩種情況下，盡管硅的形態完全不同，石墨烯仍然可以檢測得到。

“這是我們沒想到的，我們的研究結果表明即使涂了硅，石墨烯仍然是石墨烯，”項目另一位研究人員Norbert Nickel在一份新聞稿說。

在他們的測量中，研究人員確定了石墨烯層的載流子遷移率約為常規鋅氧化物接觸層的30倍。

盡管研究人員承認，石墨烯基接觸層連接外部是困難的，但也引起了他們薄膜技術同事的興趣。

（中國航空工業發展研究中心   胡燕萍）