12 月3 日，《自然》雜志發(fā)表了一篇有關(guān)下一代邏輯器件的研究論文，作者包括英特爾、加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件。相較于目前的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS），MESO 器件結(jié)合超低休眠狀態(tài)功率，有望把電壓降低5 倍、能耗降低10-30 倍。在探求不斷微縮CMOS 的同時(shí)，英特爾一直在研究超越CMOS 時(shí)代的未來十年即將出現(xiàn)的計(jì)算邏輯選項(xiàng)，推動(dòng)計(jì)算能效提升，并跨越不同的計(jì)算架構(gòu)促進(jìn)性能增長(zhǎng)。

英特爾資深院士兼技術(shù)與制造事業(yè)部探索性集成電路組總監(jiān)Ian Young 表示，“我們正在研究超越CMOS 時(shí)代的計(jì)算方案，尋求革命性而不是演進(jìn)性的突破。MESO 以低壓互連和低壓磁電為基礎(chǔ)，將量子材料創(chuàng)新與計(jì)算結(jié)合在一起。我們對(duì)已經(jīng)取得的進(jìn)展感到非常興奮，并期待著發(fā)揮其潛力，未來做出進(jìn)一步降低翻轉(zhuǎn)電壓的演示。”

英特爾研究人員發(fā)明的MESO 器件，考慮到了未來計(jì)算所需的關(guān)于存儲(chǔ)器、互連線和邏輯的要求。英特爾已經(jīng)做出了該MESO 器件的原型，采用的是在室溫下呈現(xiàn)新興量子行為的量子材料，以及由Ramamoorthy Ramesh 開發(fā)的磁電材料（Ramamoorthy Ramesh 就任于加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室）。MESO 還利用了由Albert Fert 描述的自旋軌道超導(dǎo)效應(yīng)（Spin-orbit transduction effects，Albert Fert 就任于法國國家科學(xué)研究院/泰雷茲集團(tuán)聯(lián)合物理研究組）。

英特爾功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學(xué)家Sasikanth Manipatruni 表示：“MESO 器件基于室溫量子材料開發(fā)。它展現(xiàn)了該技術(shù)的可能性，并有望在業(yè)界、學(xué)術(shù)界和各國家實(shí)驗(yàn)室中引發(fā)新一輪創(chuàng)新。而這種新型計(jì)算器件和架構(gòu)所需的許多關(guān)鍵材料和技術(shù)，還需要進(jìn)行更多開發(fā)。”