據國外媒體報道，英國政府向恩智浦（NXP）英國分公司提供200萬英鎊，以促進新一代氮化鎵（GaN）器件的發展。

授予NXP的資金是第三輪政府區域增長資金（Regional Growth Fund）的一部分，將用于招聘額外研發人員，研制原型模塊、走訪咨詢英國著名學者和提供研發階段的設備等。

它將支持NXP公司在曼徹斯特工廠、當地企業和供應商中建立功率半導體先進中心的投資。并有望保障斯托克波特超過400個的現存職位，以及創建100個新職位。

GaN器件比傳統硅器件高效，因此很可能成為功率電子行業和未來電子市場的重要資源。最終，GaN將在功率電子系統領域替代傳統硅器件，如用于汽車系統、移動手機、通信架構以及云計算中。

英國財政部秘書長丹尼·亞歷山大在曼徹斯特的發言中表示，“很高興看到區域增長資金對在托克波特建立世界領先氮化鎵研究設施的支持，將對當地的發展形成促進，帶來巨大的私人投資和地方就業機會。RGF為我們提供了推動創新項目的機會，并顯示出我們正在盡一切努力推動經濟增長和確立英國作為世界科學和創新技術領先者的地位。”