聯(lián)華電子（UMC）與IBM近期共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10nm CMOS工藝技術。

IBM半導體研發(fā)副總Gary Patton表示，“IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年，聯(lián)盟伙伴可整合運用我們的專業(yè)知識，團隊研究合作與創(chuàng)新的技術研發(fā)，藉此滿足對先進半導體應用產(chǎn)品與日俱增的需求。聯(lián)華電子的加入，將使聯(lián)盟的實力更加強大。”

聯(lián)華電子執(zhí)行長顏博文表示，“IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯(lián)華電子十分高興與IBM在先進基礎方面攜手合作，貢獻我們多年來開發(fā)高競爭力制造技術所累積的經(jīng)驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯(lián)華電子肩負著適時推出前沿工藝，以實現(xiàn)客戶次世代芯片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業(yè)來縮短我們10nm與FinFET 的研發(fā)周期，為聯(lián)華電子與我們的客戶締造雙贏。”

聯(lián)華電子與IBM兩家公司此次的協(xié)議，拓展了雙方于2012年簽訂的14nm FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支持與know-how，聯(lián)華電子將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14nmFinFET技術，針對行動運算與通訊產(chǎn)品，提供富競爭力的低耗電優(yōu)化技術。雙方計劃開發(fā)10nm制程基礎技術，以滿足聯(lián)華電子客戶的需求。聯(lián)華電子將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼的10nm研發(fā)計劃，而聯(lián)華電子14nmFinFET與10nm未來的制造，則將在聯(lián)華電子位于臺灣南科的研發(fā)中心進行。