技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）日前表示，該公司成為第一個實現氮化鎵（GaN）射頻芯片制造成熟度（MRL）達到9級的生產商，這意味著TriQuint的GaN制造工藝已滿足最佳性能、成本和容量目標要求，并已具備支持全速率生產的能力。

為達到MRL9標準，TriQuint采用美國空軍研究實驗室（AFRL）的制造成熟度評價工具和標準對其高頻、高功率GaN生產線進行了評估。TriQuint正在進行的GaN基器件的研發引領更小、更高效的功率放大器，而這些放大器通常用于軍用雷達和電子戰項目，以及商業無線通信和基礎設施。

“TriQuint最近完成了‘國防生產法案第三法令’中的碳化硅（SiC）基GaN的項目，現在我們已經證明，我們提供的GaN技術具備支持全速率生產計劃所需的成熟度。”TriQuint基礎設施和國防產品部副總裁兼總經理James Klein表示，“這是一個偉大的團隊努力結果，我們利用了整個行業的合作伙伴關系，其中包括美國國防部、美國國內和國際客戶，以及一個出色的供應基地。”

TriQuint公司已經出貨超過17萬件的0.25微米GaN功率放大器，來支持一項正在進行的國際雷達生產項目。在相控陣雷達的現場測試過程中，約1.5萬件器件已經累計無故障工作超過367萬器件小時。TriQuint繼續對產品可靠性進行了驗證，在200℃溫度下平均無故障時間(MTTF)遠超過7000萬小時，遠高于行業標準的100萬小時平均無故障時間。

作為一個固定為美國國內和國際防御項目提供GaN的供應商，TriQuint于1999年開始探索GaN的可行性，并于2008年推出了第一個SiC基GaN的生產工藝。從那以后，該公司持續大規模投資以完善該技術。現在，TriQuint公司的GaN晶圓產量已趕上該公司傳統的砷化鎵（GaAs）技術。在為國防和商業應用領域進行的GaN研究和產品開發過程中，TriQuint一直提供創紀錄的GaN電路可靠、緊湊和高效的產品，為實現更高性能、更低維護費用和更長使用壽命鋪平了道路。TriQuint公司還被美國國防部（DoD）認證為可提供代工、后期加工、封裝和組裝、射頻測試等服務的微電子可信供應商（種類A1）。

美國國防部的制造成熟度評估（MRA）是為了確保制造、生產和質量保證能夠滿足作戰任務需求。該MRA工具依據標準對科技公司進行評估，通過檢驗工業基地成熟度、技術開發與質量和生產管理，對給定技術提供關于成熟度和風險的指導。這個過程保證了產品或系統可成功地從工廠生產轉化到實際應用，為客戶提供最佳價值。TriQuint證實了其GaN制造工藝已滿足最佳性能、成本和容量目標要求，并已具備支持全速率生產的能力。