英飛凌科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與松下公司(TSE: 6752)宣布達成一項協議。根據該協議，在將松下常關型（增強型）硅基氮化鎵(GaN)晶體管結構集成到英飛凌表面貼裝器件(SMD)封裝內的基礎上，雙方將聯手開發氮化鎵(GaN)器件。出于這一原因，松下為英飛凌頒發了松下常關型GaN晶體管結構的許可證。該協議將有助于這兩家公司制造高性能GaN器件。兼容性封裝的GaN電源開關（目前任何其他硅基GaN器件都無法獲得這種裝置）將擁有兩個可靠的來源，客戶會從中獲得額外優勢。雙方均同意不進一步披露本協議的任何細節。應用電力電子會議與設備展覽會(APEC)將于2015年3月15至19日在北卡羅來納州夏洛特市舉辦。屆時兩家公司將在APEC上首次展示雙側引腳小外形封裝(DSO)的600V 70m器件樣品。

作為一種下一代化合物半導體技術之一，硅基GaN一直以來都是重點關注的對象，一方面硅基GaN會使高功率密度和更小占用空間（如對電源和適配器而言）成為可能，另一方面會成為提高能源效率的關鍵因素。總之，基于硅基GaN技術的功率器件可運用于廣泛的領域，從服務器機組中的電源等高壓工業應用（所展示的600V GaN器件的潛在應用）到直流—直流(DC-DC)轉換器等低壓應用（如高端日用消費品）。一項IHS市場研究報告顯示，功率半導體元件硅基GaN相關市場有望實現以超過50%的年復合增長率(CAGR)增長，銷售額將從2014年的1500萬美元增長至2023年的8億美元。

英飛凌科技公司電源管理和多元市場部門總裁Andreas Urschitz 說道：“英飛凌致力于為客戶提供廣泛的一流產品和技術組合方案，其中包括基于氮化鎵的可靠功率器件。我們相信，增強型硅基GaN開關將與相應的驅動程序和優化驅動方案一起為客戶創造巨大的價值，而雙源供應概念將有助于客戶實現供應鏈的管理和穩定。”

松下電器半導體有限公司(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.)總裁Toru Nishida表示：“松下充分利用自身的復合半導體經驗開發了配置簡單、動力易于控制的常關型GaN功率技術。我們希望通過為英飛凌發放基于公司GaN功率技術的常關型GaN晶體管結構的許可證來加速GaN功率器件的擴張。公司將不斷創新常關型GaN技術，以提供滿足客戶需求的解決方案。”

關于英飛凌

英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)是全球領先的半導體科技公司，致力于通過產品和系統方案為現代社會解決三大重要挑戰：能源效率、移動性和安全性。2014財年（截止9月30日），公司銷售額達43億歐元，在全球范圍內擁有約29,800名員工。2015年1月，英飛凌收購了總部位于美國的國際整流器公司(International Rectifier Corporation)。該公司是電源管理技術行業的領先供應商，年收入達11億美元（2014財年，截止到6月29日），擁有約4,200 名員工。

英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國場外交易市場OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。

關于松下

松下是一家致力于為住宅、非住宅、移動及個人應用用戶開發和設計電子技術和解決方案的全球領軍企業。自1918年成立以來，松下已將業務擴張至全球，目前在全世界范圍內經營的附屬公司有大約500家。截至2014年3月31日，其合并凈銷售額達7.74萬億日元。松下致力于通過各部門的創新來追求新的價值，并努力為客戶創造更美好的生活和世界。