使用頻率規(guī)劃工具，設定混頻的射頻輸出頻率，以及射頻帶寬、中頻帶寬以及本振功率，就可以尋找無雜散或雜散最低的區(qū)域。中頻選擇仿真結(jié)果如圖2 所示。圖中①區(qū)域為沒有雜散區(qū)域； ②區(qū)域為存在雜散區(qū)域?？梢钥闯鲭s散電平小于- 60 dBc 的中頻可供選擇的區(qū)域為1. 0～20. 5 GHz。根據(jù)以下2 條原則就可以確定中頻IF2 的頻率：① 工作在毫米波頻段的混頻器，可供選擇商品器件的不多，工作在EHF 頻段的混頻器中頻頻率一般不大于4. 5 GHz ，因此IF2 的頻率必須小于4. 5 GHz ； ② 同時因為設備中頻IF2 帶寬為2 GHz ， 為了避免2 ×IF2 +LO3 信號進入工作帶內(nèi)，中頻頻率的最低頻率必須選擇在2 GHz以上。綜合考慮將中頻IF2 選擇為2 GHz 以上，4. 5 GHz以下。

圖2、中頻IF2 頻率選擇

(2) 第一中頻頻率選擇

當IF2 選定后，假設設備采用2 次變頻，則IF1頻率為中頻輸入IF(設備輸入頻率為L 頻段信號) 。此時IF 與IF1 相隔較近，導致本振頻率無法抑制，所以方案必須采用3 次變頻。只有IF1 選擇為一個較高的中頻上，才能避免出現(xiàn)上述的問題。

從IF1 中頻選擇仿真分析結(jié)果如圖3 所示。圖中①區(qū)域為沒有雜散區(qū)域； ②區(qū)域為存在雜散區(qū)域。在0～17 GHz 范圍內(nèi)，只有0～450 MHz 范圍內(nèi)沒有雜散，在其他頻率內(nèi)均存在不同組合的雜散分量。當頻率超過12. 35 GHz 后雜散分量只有- 2IF1 +3LO1 這一個雜散，這一雜散可以通過降低IF1 的電平，使得雜散電平降低到設備的要求值。

圖3、中頻IF1 頻率選擇

因為L/ Ku 模塊方案已經(jīng)很成熟，最終中頻IF1頻率選擇在Ku 頻段，縮短了設備設計周期。

2. 2、雜散分析

確定中頻頻率后， 進行雜散分析。第1 次混頻后的雜散分析，在IF1 帶內(nèi)無雜散頻率產(chǎn)生，帶外主要雜散為f (2 ，1) ， 通過混頻后增加帶通濾波器， 完全可以將雜散電平抑制到很低的水平， 可以忽略。需要注意的是，LO1 本振頻率多采用倍頻的方案實現(xiàn)，為了防止LO1 本振的基頻頻率的多次諧波隨LO1 本振進入混頻器，LO1 本振輸出后要增加濾波器，用來濾除無用的LO1 本振諧波。

第2 次混頻雜散分析，在IF2 頻率范圍內(nèi)，主要雜散為f ( - 2 ，- 2) 、f (3 ，- 2) 、f ( - 4 ，3) 等組合頻率，帶內(nèi)的組合雜散最低次數(shù)為4 次，由于第2 次混頻采用雙平衡混頻器，m 為偶數(shù)的被抵消。雖然7 次產(chǎn)物落入帶內(nèi)， 但可以通過減小輸入的IF1 電平，來控制組合干擾的幅度，完全可以滿足變頻鏈路通用指標的要求。

第3 次混頻后的雜散分析，在EHF 頻率范圍內(nèi)主要雜散信號為f (1 ，2) 。通過調(diào)整中頻入口電平，可以降低雜散信號電平幅度，同時混頻后增加腔體濾波器，對雜散也有一定的抑制。通過以上分析，只要控制好各級混頻器的輸入電平，雜散可以控制在要求的范圍內(nèi)。

2. 3、電平分配

根據(jù)以上雜散計算可知，為了降低第2 次混頻產(chǎn)生的雜散， 必須降低混頻器的輸入電平到- 20 dBm以下。在此基礎上合理分配每級的增益，以保證設備的各項指標滿足要求。

3、關(guān)鍵技術(shù)

3. 1、中頻選取

EHF 頻段上變頻器采用3 次變頻技術(shù)，中頻頻率的選取尤其重要，一個合適的中頻頻率，不但可以降低設備的雜散電平，而且還可以降低設備的設計難度。

3. 2、高精度的制造和裝配工藝

在EHF 頻段，波長很短，相同電長度的電路元件實際尺寸會比低頻段的元件尺寸小很多，所使用的放大器、混頻器元件只能采用沒有封裝的管芯，這就對印制板的加工精度、元件安裝精度、焊接精度提出很高的要求。在EHF 頻段有些關(guān)鍵尺寸的加工精度要求小于0. 01 mm。

由于同樣的原因，在該頻段設備裝配過程中要求更加嚴格。裝配過程主要包括：裁板、粘接、鍵合等工序。特別是在粘接及鍵合工序上更加容易出問題。通過對制造和裝配工藝的試驗摸索，很好地解決了毫米波頻段高精度制造和裝配工藝問題。