一、序言

如今，各種便攜式計(jì)算設(shè)備都應(yīng)用了密集的印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)，并使用了多個(gè)高速數(shù)字通信協(xié)議，例如 PCIe、USB 和 SATA,這些高速數(shù)字協(xié)議支持高達(dá) Gb 的數(shù)據(jù)吞吐速率并具有數(shù)百毫伏的差分幅度。

入侵(aggressor)信號(hào)與受害(victim)信號(hào)出現(xiàn)能量耦合時(shí)會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_，表現(xiàn)為電場(chǎng)或磁場(chǎng)干擾。電場(chǎng)通過(guò)信號(hào)間的互電容耦合，磁場(chǎng)則通過(guò)互感耦合。

方程式(1)和(2)分別是入侵信號(hào)對(duì)受害信號(hào)的感應(yīng)電壓和電流計(jì)算公式，方程式(3)和(4)分別是入侵信號(hào)和受害信號(hào)之間的互電容和互電感計(jì)算公式。

圖中文字中英對(duì)照

nduced voltage on victim :受害信號(hào)的感應(yīng)電壓

mutual inductance between victim and aggressor :受害信號(hào)和入侵信號(hào)間的互電感

transient edge rate of current due to aggressor :受入侵信號(hào)影響的瞬態(tài)電流邊沿速率

induced current on victim :受害信號(hào)的感應(yīng)電流

mutual capacitance between victim and aggressor :受害信號(hào)和入侵信號(hào)間的互電容

dielectric permittivity :介電常數(shù)

overlapped conductive area between victim and aggressor :受害信號(hào)和入侵信號(hào)間的重疊導(dǎo)電區(qū)域

distance between victim and aggressor :受害信號(hào)和入侵信號(hào)間的距離

transient edge rate of voltage due to aggressor :受入侵信號(hào)影響的瞬態(tài)電壓邊沿速率

如方程式(1)、(2)、(3)和(4)所示，距離增加時(shí)，受害信號(hào)和入侵信號(hào)之間的電感和電容耦合降低。然而，由于必須滿(mǎn)足便攜計(jì)算設(shè)備設(shè)計(jì)緊湊的要求，PCB 的尺寸有限，增加線(xiàn)間空隙的難度很大。

微帶線(xiàn)收發(fā)交叉布線(xiàn)和帶狀線(xiàn)收發(fā)非交叉布線(xiàn)的方法可緩解串?dāng)_或耦合問(wèn)題。

圖1 交叉布線(xiàn)(transmitted pair:發(fā)射對(duì);received pair:接收對(duì))

圖2 非交叉布線(xiàn)(transmitted pair:發(fā)射對(duì);received pair:接收對(duì))

當(dāng)遠(yuǎn)端串?dāng)_(FEXT)遠(yuǎn)大于近端串?dāng)_(NEXT)時(shí)適用交叉模式。相反，當(dāng)近端串?dāng)_遠(yuǎn)大于遠(yuǎn)端串?dāng)_時(shí)適用非交叉布線(xiàn)。近端串?dāng)_表示受害網(wǎng)絡(luò)鄰近入侵信號(hào)發(fā)射機(jī)而造成的串?dāng)_，遠(yuǎn)端串?dāng)_表示受害網(wǎng)絡(luò)鄰近入侵信號(hào)接收機(jī)而造成的串?dāng)_。通過(guò)分析入侵信號(hào)和受害信號(hào)這兩個(gè)緊密耦合信號(hào)的 S 參數(shù)與瞬態(tài)響應(yīng)，我們可以對(duì)比微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)的遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_

二、 仿真

圖3 和圖4 分別是 ADS 中的 S 參數(shù)和瞬態(tài)分析仿真模型。圖3 中，100Ω差分阻抗和3 英寸長(zhǎng)的受害信號(hào)和入侵網(wǎng)絡(luò)信號(hào)線(xiàn)對(duì)的單模 S 參數(shù)通過(guò)數(shù)學(xué)方式轉(zhuǎn)變?yōu)椴罘帜Ｊ健６丝? 和端口2 分別表示入侵信號(hào)對(duì)的輸入和輸出端口，而端口3 和端口4 分別表示受害網(wǎng)絡(luò)信號(hào)對(duì)的輸入和輸出端口。入侵信號(hào)和受害信號(hào)的線(xiàn)對(duì)間空隙設(shè)置為8 mil(1 倍布線(xiàn)寬度)。

圖 4 中，中間的傳輸線(xiàn)表示受害網(wǎng)絡(luò)信號(hào)對(duì)，傳輸線(xiàn)兩端均端接電阻。在受害網(wǎng)絡(luò)信號(hào)對(duì)上方和下方的傳輸線(xiàn)中分別注入具有 30ps 邊沿速率的方波，以作為入侵信號(hào)。

圖3:S 參數(shù)仿真模型(coupled pairs:耦合對(duì))

圖4:瞬態(tài)分析仿真模型(coupled pairs:耦合對(duì))

差分 S 參數(shù) Sdd31 表示近端串?dāng)_，Sdd41 表示遠(yuǎn)端串?dāng)_。Sdd31 定義為端口3(受害網(wǎng)絡(luò)信號(hào)輸入端)感應(yīng)電壓相對(duì)于端口1(入侵網(wǎng)絡(luò)信號(hào)輸入端)入射電壓的增益比，而 Sdd41 定義為端口4(受害網(wǎng)絡(luò)信號(hào)輸出端)感應(yīng)電壓相對(duì)于端口1(入侵網(wǎng)絡(luò)信號(hào)輸入端)入射電壓的增益比。

圖5 和圖6 是耦合微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)對(duì)的仿真 S 參數(shù)。圖5 顯示，Sdd31 低于 Sdd41,表明使用微帶線(xiàn)進(jìn)行布線(xiàn)的 Sdd41 或遠(yuǎn)端串?dāng)_增益高于 Sdd31 或近端串?dāng)_;圖6 顯示，使用帶狀線(xiàn)進(jìn)行布線(xiàn)的 Sdd31 增益高于 Sdd41.

圖5:仿真微帶線(xiàn) Sdd31和 Sdd41(FEXT:遠(yuǎn)端串?dāng)_;NEXT:近端串?dāng)_)

圖6:仿真帶狀線(xiàn) Sdd31和 Sdd41(FEXT:遠(yuǎn)端串?dāng)_;NEXT:近端串?dāng)_)

圖7 和 圖8 分別是耦合微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)對(duì)的遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_時(shí)域瞬態(tài)響應(yīng)仿真。如圖7 所示，當(dāng)入侵線(xiàn)信號(hào)瞬態(tài)上升或下降時(shí)，微帶線(xiàn)布線(xiàn)的受害線(xiàn)的遠(yuǎn)端感應(yīng)電壓峰值(0.3V)遠(yuǎn)大于近端峰值(0.05V);圖8帶狀線(xiàn)仿真顯示，受害信號(hào)線(xiàn)的遠(yuǎn)端感應(yīng)電壓峰值與近端相當(dāng)(0.05V)。受害信號(hào)的誤觸發(fā)或感應(yīng)峰值會(huì)增加接收機(jī)集成電路(IC)噪聲裕量超限幾率，進(jìn)而增加比特誤差率(BER)。

圖7:微帶線(xiàn)遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_時(shí)域響應(yīng)仿真(Waveform:波形;Aggressor:入侵信號(hào))

圖8:帶狀線(xiàn)遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_時(shí)域響應(yīng)仿真(Waveform:波形;Aggressor:入侵信號(hào))

為了盡可能降低緊密耦合線(xiàn)對(duì)之間的串?dāng)_，微帶線(xiàn)采用收發(fā)交叉布線(xiàn)而帶狀線(xiàn)應(yīng)用收發(fā)非交叉布線(xiàn)是一個(gè)更好的選擇。

三、 原型 PCB 測(cè)量

為了驗(yàn)證仿真結(jié)果與實(shí)際測(cè)量的關(guān)聯(lián)性，我們需要制作原型 PCB.圖9 和 圖10 是耦合微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)的 S 參數(shù)測(cè)量結(jié)果。如圖9 所示，近端串?dāng)_低于遠(yuǎn)端串?dāng)_;圖10 中，遠(yuǎn)端串?dāng)_低于近端串?dāng)_。

圖9:微帶線(xiàn)的 S 參數(shù)測(cè)量結(jié)果

圖10:帶狀線(xiàn)的 S 參數(shù)測(cè)量結(jié)果

圖11 和 圖12 分別是耦合微帶線(xiàn)和帶狀線(xiàn)對(duì)的遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_時(shí)域瞬態(tài)響應(yīng)測(cè)量結(jié)果。圖11 中，入侵線(xiàn)的信號(hào)瞬態(tài)上升或下降時(shí)，受害線(xiàn)的遠(yuǎn)端感應(yīng)電壓峰值(0.3V)遠(yuǎn)大于近端峰值(0.1V);圖12 中，受害線(xiàn)的遠(yuǎn)端感應(yīng)電壓峰值與近端峰值相當(dāng)(0.1V)。

圖 11:微帶線(xiàn)遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_時(shí)域響應(yīng)測(cè)量結(jié)果(nsec:納秒)

圖 12:帶狀線(xiàn)遠(yuǎn)端串?dāng)_和近端串?dāng)_時(shí)域響應(yīng)測(cè)量結(jié)果(nsec:納秒)

四、 總結(jié)

S 參數(shù)和時(shí)域瞬態(tài)響應(yīng)的分析結(jié)果顯示：采用微帶線(xiàn)收發(fā)交叉布線(xiàn)和帶狀線(xiàn)非交叉布線(xiàn)方案可以最大限度地減少串?dāng)_。要實(shí)現(xiàn)極高的數(shù)據(jù)速率，PCB 設(shè)計(jì)必須優(yōu)化信號(hào)布線(xiàn)，以確保卓越的信號(hào)質(zhì)量。