小巧的造型車間，緊湊型建模邀請(qǐng)函 - 器件模型培訓(xùn)課程
集成電路培訓(xùn)中心ICTC將邀請(qǐng)器件建模領(lǐng)域的權(quán)威伯特蘭Ardouin博士，托馬斯 瓦倫丁博士做專題邀請(qǐng)報(bào)告。一，培訓(xùn)對(duì)象：
本課程屬于緊湊型建模Workshop，適合具有一定基礎(chǔ)的學(xué)員：半導(dǎo)體廠器件模型開發(fā)人員、模擬/混合信號(hào)/射頻設(shè)計(jì)人員、以及相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和管理人員、集成電路專業(yè)研究生以及對(duì)器件模型感興趣的人。
二，時(shí)間及地點(diǎn)：
（一）上課時(shí)間：2014年6月12日（周四）;
（二）上課地點(diǎn)：上海浦東新區(qū)張江浦東國際人才城（張衡路500弄1號(hào)樓）
三，其他事項(xiàng)：
（一）報(bào)名：
1，報(bào)名時(shí)間：2014年4月15日至6月01日止;
2、報(bào)名方式：填寫報(bào)名表格（附后），于06月01日前將填好的報(bào)名表發(fā)送至聯(lián)系人郵箱（附后）
（二）費(fèi)用：
1，培訓(xùn)費(fèi)用：1200 三仙教授培訓(xùn)的學(xué)員如報(bào)名，則可享受九折優(yōu)惠。
2、培訓(xùn)食宿：學(xué)員午餐由會(huì)務(wù)組統(tǒng)一安排，往返交通及住宿費(fèi)用自理（需要住宿的學(xué)員可提前預(yù)定國際人才城酒店（協(xié)議價(jià)398元/天）??或附近上海張江置業(yè)賓館（協(xié)議價(jià)200元/天），需要預(yù)定的學(xué)員請(qǐng)盡早通過會(huì)務(wù)預(yù)定）。
3，相關(guān)費(fèi)用請(qǐng)匯入會(huì)務(wù)組賬號(hào)（或根據(jù)報(bào)名回執(zhí)現(xiàn)場(chǎng)交付）。
收款單位：上海林恩信息咨詢有限公司
開戶行：上海銀行曹楊支行
賬號(hào)：316586 03000624127
（匯入賬戶的學(xué)員，請(qǐng)將匯款底單傳真至021-3327 5892或者掃描郵件至?xí)?wù)組郵箱史蒂芬。[email protected]）
（三）聯(lián)系方式：
聯(lián)系人：溫麗琴，余小陽（林恩咨詢,021-5109 6090，18964912340）;
聯(lián)系郵箱：溫麗琴（[email protected]）;余小陽（[email protected]）
四，課程內(nèi)容：
本課程屬于器件模型設(shè)計(jì)高級(jí)課程，適合具有一定基礎(chǔ)的學(xué)員：偏重器件模型設(shè)計(jì)中的實(shí)際問題，比如如何看待基于物理意義的模型和純擬合模型，特殊環(huán)境下的模型，以及如何判斷模型對(duì)于設(shè)計(jì)的好壞。特別討論了當(dāng)前比較關(guān)心的模型，比如ELECTRO-THERMAL，RELIABILITY等問題。另外，高頻下的測(cè)量和目前比較熱門的RF-SOI模型也作了闡述。最后，對(duì)將來熱門的新材料也做了展望，也同時(shí)對(duì)目前的模型參與者提出了有趣的研究方向。課程具體內(nèi)容包括：
1，引言緊湊造型及具體型號(hào)（Ardouin博士）
一，物理基礎(chǔ)建模的優(yōu)勢(shì)在純擬合模型
B，統(tǒng)計(jì)建模方法
C，EDA工具，環(huán)境和流程相關(guān)問題
D，具體的建模實(shí)例：高溫型號(hào)，低溫型號(hào)，射頻模式
E，Q / A的驗(yàn)證（線路電平）
2，什么有一個(gè)良好的模型是必要的？部分A / B（Ardouin博士）
一，測(cè)量
B，測(cè)量驗(yàn)證與確認(rèn)
C，機(jī)型小巧：一個(gè)簡(jiǎn)要的回顧和歷史（BSIM3 / 4，EKV，PSP，HICUM，VBIC，安格洛夫）
D，測(cè)試芯片，測(cè)試結(jié)構(gòu)：它的戰(zhàn)略直流和射頻？
E，提取工具：它的戰(zhàn)略模型？（環(huán)球接頭，分級(jí)，當(dāng)?shù)靥崛。葮?biāo)準(zhǔn)等）
女，什么是對(duì)設(shè)計(jì)的影響？有沒有一個(gè)“適合所有型號(hào)”
3，PD SOI CMOS工藝的射頻/噪音緊湊的造型（瓦倫丁博士，受邀）
4，電熱先進(jìn)技術(shù)特性（齊默教授）
一，測(cè)量：低頻率的S參數(shù)測(cè)量，脈沖直流和交流測(cè)量
B，TCAD仿真
C，電熱緊湊型
D，應(yīng)用的SiGe-HBT
E，應(yīng)用到28nm CMOS
樓在電路級(jí)的影響
5，射頻測(cè)量方法達(dá)到100GHZ（Ardouin博士）
校準(zhǔn)和去嵌入技術(shù)的的S參數(shù)一，頻率限制
B，EM仿真
6，可靠性與緊湊的造型與注重生活時(shí)間預(yù)測(cè)（Ardouin博士）
一，重要性的可靠性感知模型
B，降解機(jī)制和老化模型的組合
C，晶體管緊湊模型
D，案例分析和可靠性感知電路
7，展望：“石墨烯電子：如何遠(yuǎn)離工業(yè)應(yīng)用”（齊默教授）
五，授課專家簡(jiǎn)介：
伯特蘭Ardouin博士
伯特蘭Ardouin收到了碩士和博士學(xué)位 從theUniversityofBordeaux1 1998 Francein和2001年分別在電氣工程學(xué)位。他的研究活動(dòng)是硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管先進(jìn)的建模和表征。2002年，他一直XMOD技術(shù)，他目前是基金經(jīng)理和研發(fā)總監(jiān)的聯(lián)合創(chuàng)始人之一。Ardouin博士是從2006-2012的IEEE-BCTM的CAD /建模小組委員會(huì)的成員。
公關(guān)。托馬斯·齊默
托馬斯·齊默收到碩士 從theUniversityofWürzburg，德國，于1989年物理學(xué)位和博士學(xué)位 從大學(xué)波爾多1，塔朗斯，法國，在1992年電子學(xué)士學(xué)位。從1989年到1990年，他與德國弗勞恩霍夫研究所，德國埃爾蘭根。自1992年以來，他與IMS研究所，法國Talence。自2003年以來，他在他UniversityBordeaux1教授。在IMS的實(shí)驗(yàn)室，他是研究小組的領(lǐng)導(dǎo)者“納米電子學(xué)。”他的研究興趣主要集中在高頻設(shè)備，如HBT（鍺，磷化銦），石墨烯納米管和GFETs電氣緊湊建模和表征。他是高級(jí)會(huì)員IEEE和擔(dān)任評(píng)論員的許多期刊（IEEE ED，EDL，上證所...），并參加了幾次會(huì)議的程序委員會(huì)（BCTM，ESSDERC ...）。他已發(fā)表150余同行評(píng)議的科學(xué)論文，1本書，促成了8書的章節(jié)。
拉斐爾瓦倫丁博士（特邀）
他獲得了博士學(xué)位 從theInstituteofElectronics學(xué)位微納米技術(shù)，微電子和納米技術(shù)（IEMN），阿斯克新城，法國，在2008年，他的博士 度的研究是在納米級(jí)金屬源/漏全耗盡SOI專用于高頻應(yīng)用晶體管的器件仿真/建模和測(cè)量。他工作作為博士后CEA LETI在ST微電子在建模組。有關(guān)他的主要研究興趣先進(jìn)的無線電頻率（高達(dá)100千兆赫）的專用于高速/低功耗通信SOI CMOS器件建模緊湊。他目前正在為蒙太奇技術(shù)，公司，負(fù)責(zé)設(shè)備和建模活動(dòng)。
