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東芝發(fā)布基于GaN的新款功率場效應(yīng)晶體管 頻率達(dá)Ku波段
東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段（12GHz到18GHz）頻率范圍的氮化鎵（GaN）功率場效應(yīng)晶體管（FET），使該...
發(fā)布時(shí)間：2007-12-27 16:12:00 -
3nm、5nm關(guān)鍵技術(shù)：復(fù)旦大學(xué)成功驗(yàn)證實(shí)現(xiàn)GAA晶體管
來自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息，該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對具有重大需求的3-5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù)，驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0 6 1 2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實(shí)現(xiàn)了高驅(qū)動電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑。
發(fā)布時(shí)間：2020-12-18 00:00:00 -
GaN Systems出貨2000萬個(gè)GaN晶體管
GaN Systems功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布其2000萬個(gè)GaN晶體管的出貨量，其工廠合作伙伴計(jì)劃如期在2021年完成40倍的產(chǎn)能擴(kuò)充。
發(fā)布時(shí)間：2021-02-09 00:00:00 -
氮化鎵功率晶體管價(jià)格降至1美元以下
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。 這些晶體管通常用于智能手機(jī)和筆記本電腦以及各種消費(fèi)品和工業(yè)應(yīng)用的氮化鎵充電器和AC適配器。
發(fā)布時(shí)間：2021-03-09 00:00:00 -
埃賦隆推出全新高功能通用寬帶LDMOS晶體管
埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）宣布推出兩款新的寬帶放大器系列--額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件， 從而進(jìn)一步加強(qiáng)其先進(jìn)而又高性價(jià)比的射頻功率放大器解決方案的產(chǎn)品組合。
發(fā)布時(shí)間：2021-08-31 00:00:00 -
淺析晶體管放大電路的負(fù)載線
晶體管放大電路的負(fù)載線包括直流負(fù)載線和交流負(fù)載線，描述了輸出端電壓、電流與負(fù)載之間的關(guān)系。大學(xué)期間曾經(jīng)學(xué)習(xí)過相關(guān)知識，本文將與大家重溫所學(xué)內(nèi)容，并介紹直流工作點(diǎn)對功率放大器性能的影響。
發(fā)布時(shí)間：2021-12-31 00:00:00 -
恩智浦推出適用于mMIMO的全新射頻功率晶體管系列，助力擴(kuò)大5G覆蓋范圍
恩智浦?半導(dǎo)體推出適用于32T32R有源天線系統(tǒng)(AAS)的分立式射頻前端解決方案，該方案利用其新型氮化鎵(GaN)技術(shù)開發(fā)而成。
發(fā)布時(shí)間：2022-04-11 00:00:00 -
Ampleon發(fā)布增強(qiáng)性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。
發(fā)布時(shí)間：2022-04-18 00:00:00 -
中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管
近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。
發(fā)布時(shí)間：2023-03-29 00:00:00 -
晶體管放大器結(jié)構(gòu)原理圖解
功率放大器的作用是將來自前置放大器的信號放大到足夠能推動相應(yīng)揚(yáng)聲器系統(tǒng)所需的功率。就其功率來說遠(yuǎn)比前置放大器簡單，就其消耗的電功率
發(fā)布時(shí)間：2023-06-26 00:00:00 -
非常見問題解答第222期：開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：晶體管時(shí)序和自舉電容問題
本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。
發(fā)布時(shí)間：2024-10-17 00:00:00