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東芝發(fā)布基于GaN的新款功率場效應晶體管 頻率達Ku波段
東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段（12GHz到18GHz）頻率范圍的氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET），使該...
發(fā)布時間：2007-12-27 16:12:00 -
3nm、5nm關鍵技術：復旦大學成功驗證實現(xiàn)GAA晶體管
來自復旦大學微電子學院的消息，該校周鵬團隊針對具有重大需求的3-5納米節(jié)點晶體管技術，驗證了雙層溝道厚度分別為0 6 1 2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現(xiàn)了高驅(qū)動電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術途徑。
發(fā)布時間：2020-12-18 00:00:00 -
GaN Systems出貨2000萬個GaN晶體管
GaN Systems功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布其2000萬個GaN晶體管的出貨量，其工廠合作伙伴計劃如期在2021年完成40倍的產(chǎn)能擴充。
發(fā)布時間：2021-02-09 00:00:00 -
氮化鎵功率晶體管價格降至1美元以下
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。 這些晶體管通常用于智能手機和筆記本電腦以及各種消費品和工業(yè)應用的氮化鎵充電器和AC適配器。
發(fā)布時間：2021-03-09 00:00:00 -
埃賦隆推出全新高功能通用寬帶LDMOS晶體管
埃賦隆半導體（Ampleon）宣布推出兩款新的寬帶放大器系列--額定電壓為32V的BLP15M9Sxxx器件和額定電壓為50V的BLP15H9Sxxx器件， 從而進一步加強其先進而又高性價比的射頻功率放大器解決方案的產(chǎn)品組合。
發(fā)布時間：2021-08-31 00:00:00 -
淺析晶體管放大電路的負載線
晶體管放大電路的負載線包括直流負載線和交流負載線，描述了輸出端電壓、電流與負載之間的關系。大學期間曾經(jīng)學習過相關知識，本文將與大家重溫所學內(nèi)容，并介紹直流工作點對功率放大器性能的影響。
發(fā)布時間：2021-12-31 00:00:00 -
恩智浦推出適用于mMIMO的全新射頻功率晶體管系列，助力擴大5G覆蓋范圍
恩智浦?半導體推出適用于32T32R有源天線系統(tǒng)(AAS)的分立式射頻前端解決方案，該方案利用其新型氮化鎵(GaN)技術開發(fā)而成。
發(fā)布時間：2022-04-11 00:00:00 -
Ampleon發(fā)布增強性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。
發(fā)布時間：2022-04-18 00:00:00 -
中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管
近日，中國科學技術大學微電子學院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領域取得重要進展，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。
發(fā)布時間：2023-03-29 00:00:00 -
發(fā)布時間：2023-06-26 00:00:00
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非常見問題解答第222期：開關模式電源問題分析及其糾正措施：晶體管時序和自舉電容問題
本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見的開關模式電源(SMPS)的設計問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關穩(wěn)壓器的功率級設計中面臨的復雜難題，重點關注功率晶體管和自舉電容。
發(fā)布時間：2024-10-17 00:00:00
