東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段（12GHz到18GHz）頻率范圍的氮化鎵（GaN）功率場效應(yīng)晶體管（FET），使該頻率范圍在14.5GHz上實現(xiàn)了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率范圍所能支持的最高性能水平。

        該新型晶體管主要應(yīng)用于衛(wèi)星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內(nèi)的大容量信號。東芝公司計劃于2007年底供應(yīng)該新型功率場效應(yīng)晶體管的樣品，并于2008年3月底進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。 

        Ku波段微波放大器的主要優(yōu)點是以半導(dǎo)體，特別是氮化鎵設(shè)備取代傳統(tǒng)電子管應(yīng)用于該帶寬，這些晶體管能以更高的微波頻率提供優(yōu)越的高功率特性。 

        該新型功率場效應(yīng)晶體管具有高電子遷移率晶體管（HEMT）結(jié)構(gòu)，東芝公司面向Ku波段對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。該公司用通路孔技術(shù)代替

        用于雷達(dá)及衛(wèi)星微波通信基站的氮化鎵功率場效應(yīng)晶體管將取代電子管用于新設(shè)備中，對它們的需求一直穩(wěn)步增長。東芝公司通過提前將其新型Ku波段功率場效應(yīng)晶體管進(jìn)行商業(yè)化，將使這一需求得到滿足。