LTE-A（LTE-Advanced）啟動商用，下一代5G標準亦蓄勢待發，驅動移動設備射頻系統規格升級。系統廠商為支持100MHz超大頻寬、四十個以上頻段并降低噪聲干擾，除計劃增加低噪聲放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻組件用量外，也將要求射頻前端模塊(FAM)提高功能整合度，吸引芯片廠商加緊展開卡位。

英飛凌(Infineon)電源管理及多元電子事業處射頻兼保護組件協理麥正奇表示，隨著多頻多模LTE及LTE-A設計加溫，手機廠對FAM各類組件如PA、LNA、開關(Switch)和濾波器(Filter)等需求皆顯著攀升，進而激勵硅鍺碳(SiGe：C)、砷化鎵(GaAs)和互補金屬氧化物半導體(CMOS)射頻組件供應商士氣大振，正相繼投入開發新產品。

據悉，除美、日和韓全面啟動LTE商用外，中國內地也可望于今年下半年發出4G牌照，加速TD-LTE營運，而臺灣也可望于年底順利發照，讓LTE進入高速成長期，并朝國際漫游與可向下兼容2G/3G的多頻多模規格發展。不僅如此，南韓、美國電信商近期更進一步點燃LTE-A商用戰火。

隨著移動通信技術不斷“加料”，移動設備射頻FAM也須在有限空間內導入高整合設計。目前多頻多模LTE手機須支持十幾個頻段，搭載PA、LNA和射頻開關數量皆較3G手機倍增，其中PA需七至八顆、LNA和開關則需二十到三十顆；未來手機邁向更高速、頻寬更大且使用頻段更多元的LTE-A和5G，射頻組件用量更將三級跳，驅動芯片商提高產品整合度，以縮減占位空間及功耗。

麥正奇分析，傳統砷化鎵射頻方案受限于制程特殊性，難與其他系統零組件整合，因此芯片商正猛踩油門推進新一代制程與封裝技術。如英飛凌主攻硅鍺碳材料制程，并搭配小型晶圓級封裝(WLP)方案，打造高性能、高整合度且支持高頻切換的單片微波集成電路(MMIC)LNA；而高通(Qualcomm)也推出CMOS PA，通過CMOS制程整合更多周邊組件。

麥正奇透露，硅鍺碳在射頻性能、品質和可靠度表現方面皆可媲美砷化鎵，且更容易整合CMOS射頻開關或其他零組件；因此，這幾年硅鍺碳組件出貨量暴沖，在MMIC LNA市場的滲透率已與砷化鎵組件相當。近期，英飛凌硅鍺碳MMIC LNA更順利打進聯發科多頻多模LTE公板建議清單，可望在今年底至明年繼續提高市占率。

至于PA部分，麥正奇認為，其主掌射頻信號發送須更高功率與穩定度，目前仍以材料特性較佳的砷化鎵方案為主，但CMOS PA挾成本和功能整合度優勢，未來則可望在低端手機市場崛起。此外，英飛凌也已將硅鍺碳LNA加PA的系統封裝(SiP)或單芯片整合方案列入下一代產品藍圖，有助手機廠兼顧射頻性能與系統體積。

不過，由于LTE-A與5G規格尚未完全底定，業界也傳出手機廠為達到高速高品質傳輸性能，必須舍棄整合型射頻方案轉向分離式設計；對此，麥正奇回應，目前確實有射頻芯片商投入研究更前瞻的氮化鎵(GaN)制程，并以外掛方式提升射頻系統功能，但是組件整合一向是產品降價和省電的關鍵，因此仍須等通信標準定論后，才能依規格需求找出最佳的設計平衡點。