根據市場研究公司ABI的最新預測報告指出，未來四年高功率RF半導體市場將出現大幅成長，但無線基礎設備業務不會像現在這樣明顯佔據主導地位。  

預測高功率RF市場的營業額到2012年將接近10億美元，但ABI研究主管Lance Wilson表示：“多年來該市場一直處于無線基礎設備業務的陰影之下。現在，新的3G/蜂巢式無線基礎設備部署活動正減少，于是開始有了關于該產業其它領域表現情況的少量資訊。”  

Wilson暗示，高功率RF半導體產業未來五年的發展將取決于三個關鍵問題：“在制造層面，氮化鎵(gallium nitride)和碳化硅(silicon carbide) RF功率元件的導入，是否意味著Si LDMOS的死亡？行動/3G基礎設備市場處于下滑態勢，是否還會像過去那樣繼續驅動RF功率半導體產業？無線基礎設備以外的市場領域是否能支撐該市場？”  

ABI的一個研究小組最近剛完成的一份報告回答了這些問題，指出未來RF功率半導體的功率輸出將超過5W，作業頻率范圍則在3.8GHz以下。此外該報告將RF功率半導體市場分為六個主要應用領域：無線基礎設備、軍事、ISM (工業、科學與醫療)、廣播、商業航太、非蜂巢式通訊。  

除以上六大主要應用領域，該報告還細分了RF功率半導體的24個次要應用領域，暗示無線基礎設備未來幾年對于供應商的重要性將下降。